NX3008CBKS,115
NX3008CBKS,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 350mA,200mA |
| 栅源极阈值电压 | 1.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.4Ω @ 350mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 445mW | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA，200mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.68nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 15V | 功率 - 最大值 | 445mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
NX3008CBKS,115手册
NX3008CBKS,115概述
NX3008CBKS,115 产品概述
产品简介
NX3008CBKS,115是由Nexperia（安世半导体）推出的一款高性能N沟道和P沟道场效应管（MOSFET），适用于各种低功耗和高效率的电子应用。其出色的电气特性和紧凑的封装设计使其成为现代电子设计中的理想选择，该器件特别适合用于开关电源、负载开关和低电压逻辑电平电路。
主要特点
高漏源电压：该器件具有最高漏源电压（Vdss）为30V，适合大多数低功率应用，能够承受高电压而不发生击穿，从而提升设备的可靠性。
连续漏极电流：NX3008CBKS在25°C环境温度下，可连续承载350mA的漏极电流。同时，额定200mA的额外电流能力使得该器件在多种电流需求的应用中表现出色。
低导通电阻：在4.5V栅源电压（Vgs）下，350mA时的漏源导通电阻仅为1.4Ω。这一特性显著降低了在开启状态下的功耗，并提高了能效，尤其对于需要长时间工作的低功耗电路尤为重要。
快速开关特性：器件在4.5V下输入电容（Ciss）最大值为50pF，极小的栅极电荷（Qg）为0.68nC，这意味着NX3008CBKS能够实现更快速的开关操作，适合用于高频开关电源和快速脉冲电路。
宽工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适应了广泛的工业应用场合，包括汽车电子和高温环境下的设备，为其可靠运行提供了保障。
多种封装选择：NX3008CBKS提供了多种封装选择，如6-TSSOP、SC-88和SOT-363，便于用户在不同的电路设计中灵活选择，以满足特定的尺寸和应用要求。
应用范围
NX3008CBKS,115 MOSFET的应用非常广泛，主要包括但不限于以下几个领域：
开关电源：可用于DC-DC转换器、线性稳压器及开关电源中，以改善能效及降低功耗。
负载开关：可用作多种负载的开关控制，支持电源管理功能，适合用于便携设备、消费类电子产品等。
低电压逻辑电路：由于其逻辑电平的特性，NX3008CBKS极其适合用于高频数字电路和逻辑电路，实现信号的放大或开关功能。
电机控制：在小型电机控制电路中，NX3008CBKS可以作为开关器件，实现对电机的高效驱动。
性能优势
NX3008CBKS的设计不仅注重电气性能，还考虑了散热和电路效率。其最大功率耗散能力为445mW，提供了额外的安全余度，使其在实际应用中更具鲁棒性。此外，低导通电阻和快速响应特点结合，显著减少了在开关状态下的功耗和热损耗，延长了整个电路的使用寿命。
结论
NX3008CBKS,115是一款高效、可靠的N沟道和P沟道MOSFET，适合用于多种电子应用。其卓越的电气特性、广泛的工作温度范围以及灵活的封装选择，使其在现代电子设计中成为理想的解决方案。无论是用于消费电子、工业设备还是汽车应用，NX3008CBKS都能提供出色的性能和极高的性价比，是设计工程师的不二选择。