RQ6E030ATTCR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

RQ6E030ATTCR

商品编码: BM0000000767
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TSMT6(SC-95)
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
1223(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.57
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.57
--
200+
¥0.367
--
1500+
¥0.32
--
3000+
¥0.283
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

RQ6E030ATTCR参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)91 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)5.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)240pF @ 15V安装类型表面贴装型
供应商器件封装TSMT6(SC-95)封装/外壳SC-74,SOT-457

RQ6E030ATTCR手册

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RQ6E030ATTCR概述

产品概述:RQ6E030ATTCR

一、基本概述

RQ6E030ATTCR 是一款由知名半导体品牌 ROHM(罗姆)生产的P通道绝缘栅场效应管(MOSFET),采用TSMT6(SC-95)封装,具备良好的性能表现及广泛的适用性。该器件设计旨在满足现代电子电路对高效率、高密度和低功耗的要求,非常适合在功率管理、开关电源、负载开关等应用中发挥重要作用。

二、主要参数

  • 接入类型:P 通道 MOSFET
  • 漏源电压(Vdss):最高可承受30V,适合中低压应用场景。
  • 导通电阻 (RDS(on)):在最大Id为3A,Vgs为10V时,导通电阻最高可达91毫欧,表明其具有较低的导通损耗,为提高电源转换效率提供了保障。
  • 阈值电压(Vgs(th)):在1mA时,最大阈值电压为2.5V,反映了其较好的开关性能,适合用于低电压控制信号的场景。
  • 栅极电荷(Qg):在10V时,最大栅极电荷为5.4nC,说明其开关速度较快,适合高频应用。
  • 输入电容(Ciss):在15V时,最大输入电容为240pF,提供良好的高频性能。

三、技术特性

RQ6E030ATTCR 采用了现代金属氧化物工艺,结合了P通道结构,使其在控制高电流和高电压的同时,依然保持较低的功耗和良好的热稳定性。适合在高温环境下工作,也兼顾了长时间工作的可靠性。其导通电阻低,使得该器件在实际应用中大幅度降低了功耗,提高了整体电路性能。

四、封装与安装

该MOSFET采用TSMT6(SC-95)封装,其特点是体积小、散热性能好、安装方便,适合在空间有限的电路板上使用。表面贴装型设计(SMD)使其可以方便地集成到各种现代电子产品中,符合行业对于高密度布局的需求。

五、应用场景

RQ6E030ATTCR 可以广泛应用于多种电子产品和系统,尤其是以下几个方面:

  1. 开关电源:因其低导通电阻和快速开关特性,适用于DC-DC转换器、AC-DC电源等场合。
  2. 电机控制:可以作为电机驱动的开关元件,在电动工具、家用电器及汽车电子系统中得到应用。
  3. 负载开关:广泛用于开关电路,例如LED驱动、电源管理和其他负载控制。
  4. 信号调节:适合用于低信号电平控制,通过阈值电压的选择,可以精确调节电路中信号的开合。

六、总结

综上所述,RQ6E030ATTCR 是一款性能优异、应用广泛的P通道MOSFET,凭借其先进的工艺设计和优良的电气特性,能够满足各种高效率电源和开关控制的需求。其小型化的TSMT6封装、低导通电阻及快速的开关性能使得其成为现代电子设计中不可或缺的核心元件。在选择电源管理及控制方案时,RQ6E030ATTCR 为设计师提供了强有力的解决方案。