RF4C100BCTCR

产品概述：RF4C100BCTCR MOS场效应管

一、引言

RF4C100BCTCR是ROHM（罗姆）公司推出的一款P通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其优秀的电气特性和高功率处理能力，使其成为功率管理和信号开关等应用场景的理想选择。这款 MOSFET 采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻、较高的额定电流和良好的热稳定性，确保其在多种工作条件下都能保持稳定性能。

二、技术参数

RF4C100BCTCR的主要技术参数如下：

• FET 类型：P通道MOSFET
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 连续漏极电流（Id）：10A（在25°C环境温度下）
• 驱动电压：适用于1.8V和4.5V范围
• 导通电阻（Rds(on)）：最大值为15.6mOhm，适于10A和4.5V时使用
• 栅源阈值电压（Vgs(th)）：最大值为1.2V（在1mA的条件下）
• 栅极电荷（Qg）：最大值为23.5nC，在4.5V时
• 最大Vgs：±8V
• 输入电容（Ciss）：最大值为1660pF，在10V下
• 功率耗散：最大值为2W（在环境温度下）
• 工作温度范围：最高可达150°C（TJ）
• 封装类型：表面贴装型，采用HUML2020L8封装

三、性能特点

1. 低导通电阻： RF4C100BCTCR具有极低的导通电阻，特别是在较高的电流下，这使得器件在导通状态下的功率损耗大幅降低，从而提高了电源转换效率。

2. 高额定电流： 连续漏极电流额定为10A，使得该MOSFET适用于高功率应用，如电机驱动、功率放大器和DC-DC转换器等。

3. 宽广的工作温度： 可承受的工作温度高达150°C，使该器件能在恶劣环境下稳定工作，同时提升了系统的可靠性和寿命。

4. 紧凑的封装设计： DFN2020-8封装设计使器件非常适合用于空间受限的应用。表面贴装技术便于自动化生产，提高了装配效率，同时降低了生产成本。

5. 高驱动电压灵活性： 它的驱动电压范围设计合理，可以有效适应系统中不同的栅极驱动需求，便于与其他电路的集成。

四、应用领域

RF4C100BCTCR MOSFET广泛应用于如下领域：

• 电源管理：用于DC-DC转换器、线性稳压器及其他功率转换应用，能够提高能效和降低热损耗。
• 电动机驱动：在电机控制电路中，RF4C100BCTCR可用于开关器件，提高电机驱动的能效。
• 通信设备：可用于高频开关电源和信号放大，以支持各种通信协议。
• 电池管理系统：用于电池充电和保养，优化电池的充电效率及延长使用寿命。

五、总结

综上所述，RF4C100BCTCR MOSFET凭借其卓越的性能参数、广泛的应用适用性、低导通电阻和高额定电流，成为设计工程师在电源管理和开关应用中的最佳选择。ROHM（罗姆）作为行业领先者，通过持续的技术创新和高质量的产品保障，确保RF4C100BCTCR能够满足市场上对高性能元器件日益增长的需求。