注：图像仅供参考，请参阅产品规格
SUD50P10-43L-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-252
包装 :
编带
重量 :
0.393g
描述 :
场效应管(MOSFET) 8.3W；136W 100V 37.1A 1个P沟道 TO-252-2
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
8.6按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥8.6
--
100+
￥7.41
--
1000+
￥7.06
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SUD50P10-43L-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 37.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 43 毫欧 @ 9.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 160nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4600pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 8.3W（Ta），136W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SUD50P10-43L-GE3手册
无数据
SUD50P10-43L-GE3概述
产品概述：SUD50P10-43L-GE3 P沟道MOSFET
一、基本信息
SUD50P10-43L-GE3 是由VISHAY（威世）生产的一款高性能P沟道金属氧化物场效应管（MOSFET）。它采用TO-252封装，因其强大的电流承载能力与广泛的应用灵活性，被广泛应用于开关电源、马达驱动器及其他高效能电源管理系统。
二、关键参数
- 漏源电压（Vdss）：该器件的漏源电压高达100V，使其能够在多种高电压环境中稳定运行。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C的条件下，SUD50P10-43L-GE3的最大连续漏极电流可达37.1A，这使其适合用于需要大电流输出的应用。
- 导通电阻（Rds On）：在10V的栅极驱动电压下，器件的导通电阻最大值为43毫欧（@ 9.2A），这种低导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为3V，这意味着该MOSFET能够在较低的栅极电压下导通，有助于提高整体效率并减少功耗。
- 栅极电荷（Qg）：在10V的条件下，其栅极电荷最大值为160nC。这一参数影响开关速度，较低的栅极电荷值可以提高开关频率和效率。
- 输入电容（Ciss）：在50V的条件下，输入电容为4600pF，这一较高的输入电容适合于需要高开关速度的应用。
- 功率耗散：最大功率耗散为8.3W（环境温度Ta），以及136W（结温Tc），这使得器件在高负载条件下依然能够保持稳定的性能。
三、工作环境
SUD50P10-43L-GE3具有广泛的工作温度范围，从-55°C到175°C的耐温性能使其能够在极端环境下正常稳定工作。这一特性非常适合航空、军事及高性能工业应用。
四、封装和安装类型
该器件采用TO-252封装（也称为DPAK封装），具有表面贴装特性，适合现代自动化生产以及紧凑电路板设计。TO-252封装因其良好的散热性能与安装方便性，使其成为电源管理和开关应用中常用的选择。
五、应用场景
SUD50P10-43L-GE3在许多应用场景中表现优越，包括但不限于：
- 开关电源：用于DC-DC转换器和其他电源模块的高效开关。
- 马达驱动：在电动机驱动应用中，作为开关元件实现高效控制。
- 电池管理系统：用于电池充放电管理，提升能量利用率。
- 高功率LED驱动：在驱动高功率LED时提供稳定的工作电流。
六、总结
SUD50P10-43L-GE3是一款高效、可靠的P沟道MOSFET，适用于多种苛刻的电力电子应用。其出色的技术规格与广泛的应用领域，使得这一产品在现代电子产品设计中占有一席之地。无论是在高压、高电流的工作环境，还是在需求快速响应和高效率的电源转换场合，它都能提供出色的性能表现，是设计师值得信赖的选择。