RUR040N02TL
RUR040N02TL参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 680pF @ 10V | Vgs（最大值） | ±10V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 1mA |
RUR040N02TL手册
RUR040N02TL概述
RUR040N02TL 产品概述
产品名称： RUR040N02TL
品牌： ROHM（罗姆）
封装类型： TSMT3
概述
RUR040N02TL是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高效电源管理和开关应用而设计。其能够在高温、高频率和多种工作条件下提供卓越的性能，使其成为现代电子设备中的理想选择。
主要特性
导通电阻（Rds(on）: 在4A电流和4.5V栅极驱动电压下，RUR040N02TL的最大导通电阻为35毫欧（mΩ），这使其在电流通过时损耗最小，从而提高系统的整体能效。
驱动电压: 该MOSFET设计了两个不同的驱动电压，1.5V（最小）和4.5V（最大），为用户提供了灵活的电源设计选项，从而适应不同的电路需求。
漏极电流: 此器件最高可提供4A的连续漏极电流，适合用于低功耗和中功耗的应用，能够满足对电流要求较高的设备如DC-DC转换器、LED驱动电路等。
漏源电压（Vdss）: RUR040N02TL的耐压设计为20V，适合用于要求较低电压供电的应用。该特性使得RUR040N02TL可以广泛应用于消费电子、通信设备以及电力电子设备中。
输入电容（Ciss）: 在10V下，最大输入电容为680pF。这一特性确保了MOSFET在高频开关中具备较快的响应能力，有助于提高开关速度，减少功率损耗。
栅极电荷（Qg）: 在4.5V驱动电压下，栅极电荷为8nC，能够有效减小驱动器的能耗，提高整体系统效率。
热管理: 产品工作温度可达150°C，具备优异的热稳定性，适合在苛刻的环境条件下使用。同时，其最大功率耗散能力为1W，这意味着它在较大的电流工作时仍然能够保持低温。
应用场景
RUR040N02TL主要应用于以下几个方面：
DC-DC转换器： MOSFET在DC-DC转换中的开关以及整流操作中扮演着重要角色，RUR040N02TL可以减少能量损耗，提升转换效率。
LED驱动电路： 通过快速开关控制LED电源，确保亮度稳定且能耗低。
电池管理系统： 可用于电池的保护开关，支持过流和过压保护。
消费电子： 广泛应用于电视、音响、游戏机等设备的电源管理部分。
总结
RUR040N02TL凭借其低导通电阻、高开关效率和宽广的工作温度范围，成为市场上不可或缺的重要元件。无论是在新产品开发还是现有产品的升级改进中，该MOSFET都能为设计师提供强有力的支持。由于其杰出的电气性能和高温稳定性，RUR040N02TL将持续引领现代电子设计的发展方向，推动电子技术的进步。