RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB 产品概述

一、产品简介

RQ3E100BNTB 是 ROHM（罗姆）公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），具有出色的电气性能和高温可靠性。该 MOSFET 采用表面贴装型（SMD）封装，适合自动化生产，广泛应用于电源管理、开关电源、直流电动机驱动及其他高频率开关应用。其高达 10A 的连续漏极电流以及30V的漏源电压，使其在许多电子设备中成为理想的选择。

二、基本参数

RQ3E100BNTB 的主要技术规格如下：

• 安装类型：表面贴装型 (SMD)，便于在现代电路板设计中实现高密度布局。
• 导通电阻 (Rds(on))：在 10A 和 10V 驱动电压下的最大导通电阻为 10.4 毫欧，保证了在高电流下的低能量损耗。
• 驱动电压：最小 Rds(on) 驱动电压为 4.5V，最大为 10V，这使其可以在多种电源环境中良好工作。
• 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 的情况下，最大连续漏极电流为 10A，适用于较大的负载。
• 漏源电压 (Vdss)：最大漏-源电压为 30V，适合一般的电源应用。
• 工作温度：可承受高达 150°C 的工作温度，确保在苛刻环境下稳定运行。
• 输入电容 (Ciss)：在 15V 时，输入电容最大值为 1100pF，有助于降低开关损耗，提高频率响应。
• 栅极电荷 (Qg)：在 10V 驱动电压下，栅极电荷最大达 22nC，有利于提高开关速度。
• 功率耗散：最大功率耗散为 2W，使其在负载变化时具有良好的散热能力。

三、技术优势

1. 高效能能耗：RQ3E100BNTB 拥有低导通电阻，极大地降低了导通损耗，提升了整体能效。在电源系统中，其高效能消耗特性能够有效降低热量产生，从而延长设备寿命。

2. 广泛的应用场景：由于其可工作于高温环境下，RQ3E100BNTB 特别适合用于汽车电子、工业自动化及家用电器等要求高耐温和可靠性的场景。

3. 快速开关：由于其低栅极电荷和快速响应特性，能够确保在高频应用中做到快速的开关控制，提升了控制系统的动态性能。

4. 高度集成的封装：其采用的小型 HSMT-8 (3.2x3) 封装形式，既节省了电路板空间，又支持高密度组装，适合现代电子产品的设计需求。

四、应用领域

RQ3E100BNTB 由于其卓越的性能，广泛应用于以下领域：

• 电源管理：适用于开关电源 (SMPS) 中的功率转换与调节。
• 电动机驱动：在直流电动机和步进电动机驱动中，用于控制电机的启停和调速。
• 汽车电子：用于电动车辆的电池管理和电机控制系统，确保高效能。
• 消费电子：在家电和便携式设备中作为开关或调节模块，提升设备的能效。

五、总结

RQ3E100BNTB 是一款性能卓越、安装便利的 N 通道 MOSFET，符合现代电子应用对高效能和高可靠性的要求。凭借其优越的电气特性和稳定的工作性能，RQ3E100BNTB 是电源管理和电机驱动等领域中的理想选择，为设计师提供了极大的设计灵活性。在日益发展的电子技术领域，该元器件有望在多种应用中发挥重要作用。