FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 78 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.25V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 618pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 480mW(Ta), 6.25W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
PMV65XPEAR 是一款高性能P沟道MOSFET,由知名电子元器件制造商 Nexperia(安世)生产,采用TO-236AB表面贴装封装,设计用于广泛的电子应用,尤其适合要求高效和可靠性的电源管理和开关电路。这款器件以其优越的电气特性和最高工作温度范围而受到设计工程师的青睐,尤其适用于需要高耐热性和高功率处理能力的应用场景。
PMV65XPEAR 在电源管理领域和开关电路中表现出色,适用的应用场景包括但不限于:
PMV65XPEAR 是一款优秀的低压P沟道MOSFET,凭借其出色的电气特性、高功率处理能力和宽工作温度范围,使其在多种电子应用中均表现出色。无论是在电源开关、负载控制还是电池管理系统中,PMV65XPEAR 都能为设计工程师提供可靠的解决方案,是现代电子设计中不可或缺的元件之一。