PMV130ENEAR

PMV130ENEAR 产品概述

概述

PMV130ENEAR 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，由知名电子元器件制造商 Nexperia（安世）生产。该器件采用 TO-236AB 封装，旨在为各种电源管理和开关应用提供高效的电流处理能力和卓越的热性能。

规格参数

PMV130ENEAR 的主要参数包括：

• 漏源电压（Vdss）: 40V
• 连续漏极电流（Id）: 2.1A（在 25°C 时）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.5V @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 120mΩ @ 1.5A，10V
• 最大功率耗散: 460mW（环境温度 Ta=25°C）；5W（结温 Tc）
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C

此外，该器件的最大栅源电压（Vgs）为 ±20V，显示出其在高电压环境下的适应能力。输入电容（Ciss）最大值为 170pF，保证了快速开关性能，而极低的栅电荷 (Qg) 为 3.6nC @ 10V，则使得驱动电路设计更加简便。

应用场景

PMV130ENEAR 具备多种应用潜力，尤其适用于需要高效率电源转换和开关控制的电路，其应用场景包括：

1. ** DC-DC 转换器**: 在电源管理系统中，可用于高效的开关电源设计，以实现持续稳定的电力输出。
2. 负载开关: 在电池供电或移动设备中，利用 PMV130ENEAR 进行负载的控制与保护，能够有效延长设备的使用寿命。
3. 电机驱动: 在小型电机驱动应用中，该 MOSFET 能够提供必要的电流和迅速响应，确保驱动电机高效运行。
4. 消费电子: 在各种消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑等，PMV130ENEAR 能够帮助优化电源管理，提高产品性能与能效比。

性能优势

PMV130ENEAR 具有可靠的热性能表现和较低的导通电阻，这样的设计显著提升了在大电流和高频操作条件下的效率，降低了功耗和热量生成。其宽广的工作温度范围使其能够适应各种苛刻的环境条件，确保产品在不同温度下的稳定性能。这种 MOSFET 还具有良好的开关速度，极低的输入/输出电容使其适用于高频开关应用。

封装与安装

PMV130ENEAR 使用的是 TO-236AB（SOT-23-3）封装，这种小型封装设计使其非常适合于现代紧凑型电子产品，便于自动化贴装工艺，提高了生产效率。此外，由于其表面贴装型结构，能够有效节省空间并提供更高的布局灵活性。

总结

综上所述，PMV130ENEAR 是一款在各类电源管理和开关应用中表现出色的 N 沟道 MOSFET。它的高效能、宽范围的工作温度、低导通电阻和灵活的封装选择，使其成为电子设计师在选择合适的开关元件时的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，PMV130ENEAR 都能提供可靠的性能支持，助力产品实现更高的能效与可靠性。