UMD6NTR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

UMD6NTR

商品编码: BM0000000754
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT6
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-363
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.339
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.339
--
200+
¥0.219
--
1500+
¥0.19
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

UMD6NTR参数

安装类型表面贴装型电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电阻器 - 基极 (R1)4.7 千欧频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V

UMD6NTR手册

UMD6NTR概述

UMD6NTR 产品概述

概述

UMD6NTR 是一款由知名半导体制造商 ROHM(罗姆)推出的高性能数字晶体管,采用表面贴装型(SMD)UMT6 封装。该产品集成了一个 NPN 和一个 PNP 晶体管,具备预偏压式设计,适用于各种数字电路和信号放大应用。其小巧的尺寸和优异的电性能使其特别适合于现代电子设备中对空间和效率的严格要求。

关键参数

UMD6NTR 的关键性能指标包括:

  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA,这使得该晶体管在负载较大的应用中表现稳定,适合驱动各种负载。
  • 最大集射极击穿电压 (Vceo): 50V,这一高电压值为其在高压环境中的应用提供了保障,广泛适用于电源管理、信号开关等场合。
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下,Vce 饱和压降的最大值为 300mV @ 250µA 和 5mA,表明该晶体管在开关操作时的高效率,同时显著降低了功耗。
  • 功率处理能力: 最大功率为 150mW,此参数确保在长期运行过程中,UMD6NTR 能够安全且稳定地工作。

电流增益

UMD6NTR 的直流电流增益 (hFE) 在特定条件下(100 @ 1mA,5V)达到最小值 100,表明该部件在低信号放大的应用中能够提供足够的增益。这对于实施高效的信号处理至关重要,尤其是在涉及模拟信号转换的场合。

频率响应

该产品具有 250MHz 的高频跃迁特性,适用于高速开关和射频 (RF) 应用领域。这使得 UMD6NTR 在现代通信设备中表现不凡,如调制解调器、无线设备等,能够满足日益增长的高速信号处理需求。

应用场景

基于其优异的电性能,UMD6NTR 可广泛应用于以下场景:

  • 数字电路开关: 由于其内置的 NPN 和 PNP 晶体管,该器件可用于构建高效的数字开关电路,用于信号的控制与处理。
  • 音频放大器: 由于其良好的线性特性,适合用于音频放大器中,提高音质,降低失真。
  • 信号处理: 在各类传感器和信号转换器中,UMD6NTR 可有效放大和转换信号,为后续电路提供高质量的信号输出。

设计便利性

UMD6NTR 产品设计方便了电子工程师的布局与焊接,SOT-363 封装小巧而易于集成。此外,预偏压式设计可减少设计中的额外元件,简化电路设计,提升了效率和可靠性。

总结

UMD6NTR 是一款功能强大且高效的数字晶体管,凭借 ROHM 作为行业领导者的品质保证和丰富的应用场景,能够满足现代电子设备对小型化、高效能、高速响应的需求。无论是用于数字电路、音频放大还是信号处理,UMD6NTR 都是值得信赖的选项,能够为设计工程师提供卓越的性能和极高的设计灵活性。