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PMXB40UNEZ
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
DFN1010D-3
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 400mW；8.33W 12V 3.2A 1个N沟道 DFN1010-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.738按整 :
圆盘(1圆盘有5000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.738
--
500+
￥0.527
--
2500+
￥0.479
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMXB40UNEZ参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.6nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 556pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta），8.33W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN1010D-3 |
| 封装/外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 |
PMXB40UNEZ手册
无数据
PMXB40UNEZ概述
PMXB40UNEZ 产品概述
一、概述
PMXB40UNEZ是一款高性能的N通道MOSFET，专为低电压和中等功率应用设计，具有出色的开关特性和高效能。其最大漏源电压为12V，能够承载高达3.2A的连续漏极电流，尤其适合于电源管理、逆变器、驱动电路以及电机控制等广泛应用场合。
二、主要特性
电气性能
- 漏源电压（Vdss）: 12V，满足大多数低压供电电路的需求。
- 连续漏极电流（Id）: 3.2A（在25°C环境温度下），为电子设备提供充足的电流驱动能力。
- 最大Rds(on): 在4.5V的栅极驱动电压下，其导通电阻(Rds(on))为45毫欧，确保在高负载情况下仍具备低功耗特性。
驱动电压
- PMXB40UNEZ支持1.2V至4.5V的栅极驱动电压，能够以较低的栅极电压实现较好的开关性能，适应多样化的应用需求。这使其特别适合低功率和便携式设备。
栅极阈值电压（Vgs(th)）
- 最大阈值电压为900mV@250µA，意味着该MOSFET在相对较低的栅极电压下即可导通，有效提升设计灵活性。
温度特性
- 工作温度范围从-55°C到150°C（TJ），使其在极端环境下仍能可靠运行，适合各种工业和军事应用。
功率耗散
- 最大功率耗散水平为400mW（在环境温度Ta条件下），和8.33W（在晶体管内温度Tc条件下），从而优化了散热性能，降低了运行风险。
三、封装和安装
PMXB40UNEZ采用DFN1010D-3表面贴装封装类型。该封装设计旨在实现高效的热性能和降低PCB占用空间，特别适合狭小的板级布局或高密度设计。DFN1010-3的裸露焊盘特性，也使得焊接过程更加简单高效，有利于提高整体的制造效率和质量。
四、应用场景
PMXB40UNEZ适合于众多应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 在开关电源、DC-DC转换器中，作为开关元件使用，具备快速开关特性以提升电源效率。
- 电机驱动: 用于电机控制电路，提供高效的驱动能力。
- LED驱动: 在LED照明中的驱动应用中，实现高效的开关控制，有效延长LED的使用寿命。
- 汽车电子: 适应在各种汽车电子设备中的应用，例如电动窗控制、远程启动等。
五、总结
PMXB40UNEZ作为一款高效能的N通道MOSFET，不仅在性能上具备多项优势，还结合了现代电子应用中对空间和功耗的严格要求。无论是用于电源管理、电机控制还是汽车电子领域，它都能提供卓越的表现。借助其广泛的应用范围和高耐受性，PMXB40UNEZ无疑是电子设计工程师们在开发过程中值得信赖的选择。