PSMN010-80YLX
PSMN010-80YLX参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 25A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 84A（Tc） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6506pF @ 25V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 44.2nC @ 5V |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 功率耗散（最大值） | 194W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
PSMN010-80YLX手册
PSMN010-80YLX概述
PSMN010-80YLX 产品概述
引言：
PSMN010-80YLX 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，由 Nexperia（安世）公司设计与制造，专为高功率应用而优化。这款元器件采用表面贴装型封装（LFPAK56，Power-SO8），使其在空间受限的设计中具有更高的便捷性和灵活性。PSMN010-80YLX 的主要性能参数使其非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动以及其他高电流应用场景。
产品特点：
高电流处理能力： PSMN010-80YLX 在 Tc=25°C 下的连续漏极电流（Id）可达84A，这使其在高电流应用中表现出色。它的最大功率耗散可达到194W，确保在高负载条件下的可靠工作。
低导通电阻： 此款 MOSFET 在 25A 和 10V 驱动电压下导通电阻（Rds(on)）的最大值仅为10毫欧，这意味着在工作期间能量损耗极低，有助于提高整体效率，并减少热量生成。
广泛的工作温度范围： PSMN010-80YLX 的工作温度范围为-55°C 至 175°C，显示出其在各种极端环境条件下的可靠性和耐用性。因此，它非常适合于工业和汽车等应用场景。
高度兼容性： 该产品支持的最大栅极电压Vgs为±20V，且具有5V和10V的驱动电压选项，使其可以广泛兼容多种控制电路。
低输入电容： 在25V时，PSMN010-80YLX 的输入电容(Ciss)最大为6506pF，这降低了在开关操作时的时间延迟，特别是在高频应用中显得尤为重要。
易于驱动的栅极电荷： 该器件的栅极电荷（Qg）在5V时最大为44.2nC，这为驱动电路提供了便利，因为它降低了所需的驱动功耗首。
漏源电压(Vds)： PSMN010-80YLX 的漏源电压最大值为80V，提供了良好的电压耐受能力，为各种高电压要求的应用提供了安全保障。
阈值电压(Vgs(th))： 在Vgs=1mA时，阈值电压的最大值为2.1V，这使得该MOSFET能够在较低的栅压下开始导通，提高了应用的灵活性。
应用领域：
PSMN010-80YLX 的优异性能使其广泛应用于各种领域，包括但不限于：
- 电源管理系统： 在开关电源、DC-DC 转换器中用作主开关元件。
- 汽车电子： 应用于电动机驱动、LED 驱动和电池管理系统等场合。
- 通讯设备： 提供有效的电源转换，满足高频、高效率的需求。
- 工业系统： 在电机控制和自动化设备中，确保高功率电流的稳定传输。
总结：
综上所述，PSMN010-80YLX 继承了 Nexperia 在 MOSFET 设计和生产上的丰富经验，结合其高电流处理能力、低导通电阻、广泛的温度范围以及易于驱动等特点，成为实现高效电源管理和电机控制的理想选择。在不断发展的电子市场中，PSMN010-80YLX 将为各类应用提供可靠、稳定的解决方案。