漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 6.1A |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 29mΩ @ 6.1A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.7W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.1A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 29 毫欧 @ 6.1A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 45nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1570pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 1.7W(Ta),12.5W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DFN2020MD-6 | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
PMPB27EP,115 是一款由安世(Nexperia)生产的高性能 P 管道 MOSFET,采用表面贴装型 DFN2020MD-6 封装。该器件专为需要高效电源管理的应用而设计,旨在满足在高温、低功耗和高效率等多种苛刻条件下的使用需求。
电气参数:
功率处理能力:
工作温度范围:
电容和电荷特性:
封装特性:
PMPB27EP,115 在多个应用场景中表现卓越,特别是在以下方面:
PMPB27EP,115是一款功能强大、适用多种应用场景的P沟道MOSFET。其出色的电气特性、广泛的工作温度范围以及优化的封装设计,使得这一产品在现代电子产品开发中占据了重要的市场地位。选择PMPB27EP,115,将为您的设计带来更高的效率及可靠性。无论是在汽车、工业还是消费电子产品中,PMPB27EP,115都能提供卓越的性能表现,让您的项目更具竞争力。