PSMN2R6-40YS,115
PSMN2R6-40YS,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 2.8mΩ @ 25A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 131W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3776pF @ 12V | 功率耗散（最大值） | 131W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
PSMN2R6-40YS,115手册
PSMN2R6-40YS,115概述
产品概述：PSMN2R6-40YS,115
PSMN2R6-40YS,115 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商 Nexperia（安世）生产。该产品以其优异的电气性能、宽广的工作温度范围和紧凑的封装设计，广泛应用于电源管理、开关电路以及负载驱动等领域。
1. 基本特性
PSMN2R6-40YS,115 的关键参数包括：
- 漏源电压（Vdss）：40V，适合多种中低压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时可达到 100A（Tc），这使得其在高电流应用场景中非常可靠。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：4V @ 1mA，确保在较低的栅压下可以迅速导通，大幅降低开关损耗。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：仅为 2.8mΩ @ 25A, 10V 的导通电阻意味着该 MOSFET 在导通状态下具有极低的功率损耗，显著提升了整体效率。
除此之外，PSMN2R6-40YS,115 的设计保证了最佳的开关性能和热管理，最大功率耗散可达到 131W（Tc），使其在高功率应用中具有极佳的稳定性。
2. 电气特性
在不同的工作条件下，PSMN2R6-40YS,115 的输入电容（Ciss）可达到 3776pF @ 12V，栅极电荷（Qg）最大为 63nC @ 10V。这些参数确保了该组件在高频率应用中能够快速切换，提高了电路的响应能力。
该元器件支持高达 ±20V 的栅极驱动电压，使得设计人员能够灵活配置栅极驱动电路，以满足特定的应用需求。此外，其工作温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C（TJ），使得在极端环境下仍然能够稳定工作，适合汽车、工业和电信等行业应用。
3. 封装与安装
PSMN2R6-40YS,115 使用 LFPAK56 和 Power-SO8 封装形式，同时也可在 SC-100 和 SOT-669 封装下提供。这些先进的表面贴装封装设计不仅减少了 PCB 占用面积，还提高了散热性能，适合于高密度的电子应用和现代电子设备。
4. 应用领域
凭借其优异的特性，PSMN2R6-40YS,115 在许多应用领域中表现出色，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）：在开关电源中用于反向和同步整流，与 PWM 控制器配合提高效率。
- 电动机驱动：为电动机驱动系统提供快速开关和高电流能力，适用于变频器和伺服系统。
- 电池管理系统（BMS）：在电池充放电中实现高效开关，延长产品寿命并提高安全性。
- 汽车电子：可用于电动汽车的驱动电路和各类汽车控制系统，保证高功率和高可靠性。
5. 总结
总之，PSMN2R6-40YS,115 是一款具备高功率、低电阻、宽工作温度范围的 N 沟道 MOSFET，适合大多数现代电子应用。凭借 Nexperia（安世）的技术积累和严格的质量控制，用户可以依赖其在各类应用中的稳定性和高效能。无论是在电源转换、驱动电路还是其他高功率应用中，PSMN2R6-40YS,115 都是一款值得信赖的解决方案。