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PMPB13XNE,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
DFN-2020-6
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.7W；12.5W 30V 8A 1个N沟道 DFN2020-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.964按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.964
--
200+
￥0.666
--
1500+
￥0.605
--
3000+
￥0.565
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMPB13XNE,115参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 36nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2195pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta），12.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN2020MD-6 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
PMPB13XNE,115手册
无数据
PMPB13XNE,115概述
PMPB13XNE,115 产品概述
产品简介
PMPB13XNE,115 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为多种应用提供良好的电气特性和热性能。这款场效应管集成了先进的 MOSFET 技术，能够实现高效的电流控制与开关操作，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器和负载驱动等领域。
技术参数
FET 类型与技术:
- PMPB13XNE,115 是一款 N 通道 MOSFET，具有优异的电导通特性，适用于各种电气应用。
漏源电压（Vdss）:
- 该器件的最大漏源电压为 30V，能够承受高达 30V 的电压，确保在严格的工作环境中稳定运行。
连续漏极电流（Id）:
- 在 25°C 环境条件下，连续漏极电流为 8A，适合高电流应用，保障良好的电气性能。
驱动电压（Vgs）:
- PMPB13XNE 的最小和最大 Rds On 驱动电压分别为 1.8V 和 4.5V，确保合理的驱动条件与低导通电阻，有助于降低功耗。
导通电阻（Rds On）:
- 在 8A 和 4.5V 的条件下，最大导通电阻为 16 毫欧，优良的导通性能减少了能量损失，提高了整体效率。
阈值电压（Vgs(th)）:
- 最小启用电压 (Vgs(th)) 为 900mV @ 250µA，表明该 MOSFET 在较低的驱动电压下就能有效开启。
输入电容 (Ciss):
- 输入电容在 15V 时为 2195pF，域 在选择适当的驱动电路时，该参数对于开关速度和效率至关重要。
功率耗散:
- 在环境温度下（Ta），最大功率耗散为 1.7W，而在芯片温度（Tc）下高达 12.5W，显示出该器件在高负载条件下依然保持良好的性能。
工作温度范围:
- 支持的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，适合于各种恶劣环境下的应用。
封装与安装类型:
- PMPB13XNE,115 采用 DFN2020MD-6 表面贴装型封装，6-UDFN 裸露焊盘设计便于自动化生产，减小占板空间并提高散热性能。
应用场景
凭借其卓越的电气特性，PMPB13XNE,115 广泛适用于:
电源管理: 用于开关电源、高效能 DC-DC 转换器等，以提高能量转化效率和降低功耗。
马达驱动: 在马达控制以及各种电动工具中的应用，通过精确的电流控制实现更高效的能量管理。
LED 驱动: 对于 LED 照明系统中的电子组件，实现优质的驱动控制和优化的热管理。
消费电子: 可以在快速发展的消费电子产品中采用，满足高密度集成和高电流响应需求。
总结
PMPB13XNE,115 是一款高效率的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气参数和广泛的应用潜力，成为现代电源管理和驱动解决方案中的理想选择。其优异的性能和高温工作能力使其在电子行业中脱颖而出。无论是从功耗还是热管理来看，PMPB13XNE,115 皆能为高性能电路设计提供可靠的支持，为未来的技术创新打下坚实的基础。