BSS138BKS,115 产品实物图片
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BSS138BKS,115

商品编码: BM0000000711
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
6-TSSOP
包装 : 
编带
重量 : 
0.014g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 445mW 60V 320mA 2个N沟道 SOT-363
库存 :
5453(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.373
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.373
--
200+
¥0.241
--
1500+
¥0.209
--
3000+
¥0.185
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS138BKS,115参数

漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)(25°C 时)320mA
栅源极阈值电压1.6V @ 250uA漏源导通电阻1.6Ω @ 320mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)445mW类型双N沟道
FET 类型2 N-通道(双)FET 功能逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)320mA不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.6 欧姆 @ 320mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.6V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)56pF @ 10V功率 - 最大值445mW
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商器件封装6-TSSOP

BSS138BKS,115手册

BSS138BKS,115概述

产品概述:BSS138BKS,115

基本信息: BSS138BKS,115是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET),适用于多种低功耗和逻辑电平应用。这款元器件由Nexperia(安世)制造,优势在于其优异的导通性能和较高的工作温度范围,为现代电子设备设计提供了可靠的解决方案。

主要参数:

  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 持续漏极电流(Id): 320mA(在25°C时)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 1.6V(@ 250µA)
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 1.6Ω(@ 320mA,10V)
  • 最大功率耗散: 445mW(在Ta=25°C时)
  • 工作温度范围: -55°C至150°C
  • 封装类型: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

性能特点:

  1. 高功率密度: BSS138BKS,115的最大功率耗散可达445mW,使其适合用于需要高功率的应用场景。
  2. 宽工作温度范围: -55°C到150°C的工作温度范围,确保其在各种环境条件下的稳定性,特别适合汽车电子及工业应用。
  3. 低导通电阻: 在320mA的电流水平下,导通电阻仅为1.6Ω,提高了开关效率并降低了发热量,适合用于电源管理和信号开关等应用。
  4. 逻辑电平门特性: Vgs(th)为1.6V,使得此器件可以直接与逻辑电平信号互联,为数字电路设计提供便利。

应用领域:

  • 开关电源: 在开关电源设计中,BSS138BKS,115的低导通电阻与高功率密度能够显著提升电源转换效率。
  • 信号开关: 由于其逻辑电平特性,适用于低电压信号的开关应用,如音频开关和视频开关等。
  • 电机驱动: 适用于小功率电机驱动,能够有效控制电机启停和转速调节。
  • 自动化设备: 在自动化控制里,BSS138BKS,115能够作为信号传输和控制元件,提升系统的响应速度和可靠性。

封装信息与安装方式: BSS138BKS,115采用6-TSSOP、SC-88或SOT-363封装,表面贴装型设计使其在PCB上占用较小空间,适合现代电子产品的紧凑设计需求。此封装不仅便于自动化生产,也提升了组装的可靠性。

总结: BSS138BKS,115是一款具有出色性能的双N沟道场效应管,结合其适应性广泛的电压与电流规格,能够满足多种电子产品设计的要求。从电源管理到信号控制,从工业应用到汽车电子,该器件凭借其高功率、低电阻和宽温度范围,成为工程师们设计高效能电子系统时的理想选择。选择BSS138BKS,115是确保电子设计可靠性与效率的重要一步。