漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 320mA |
栅源极阈值电压 | 1.6V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.6Ω @ 320mA,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 445mW | 类型 | 双N沟道 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 320mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.6 欧姆 @ 320mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.7nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 56pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 445mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
基本信息: BSS138BKS,115是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET),适用于多种低功耗和逻辑电平应用。这款元器件由Nexperia(安世)制造,优势在于其优异的导通性能和较高的工作温度范围,为现代电子设备设计提供了可靠的解决方案。
主要参数:
性能特点:
应用领域:
封装信息与安装方式: BSS138BKS,115采用6-TSSOP、SC-88或SOT-363封装,表面贴装型设计使其在PCB上占用较小空间,适合现代电子产品的紧凑设计需求。此封装不仅便于自动化生产,也提升了组装的可靠性。
总结: BSS138BKS,115是一款具有出色性能的双N沟道场效应管,结合其适应性广泛的电压与电流规格,能够满足多种电子产品设计的要求。从电源管理到信号控制,从工业应用到汽车电子,该器件凭借其高功率、低电阻和宽温度范围,成为工程师们设计高效能电子系统时的理想选择。选择BSS138BKS,115是确保电子设计可靠性与效率的重要一步。