BSH114,215

BSH114,215 产品概述

BSH114,215 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名品牌 Nexperia（安世）生产。作为一款表面贴装型（SMD）元件，BSH114,215 主要应用于低功耗电子设备、开关电源、电机驱动、直流-直流转换器等电路中，凭借其优越的电气特性与广泛的工作温度范围，满足现代电子产品对高效能、紧凑型设计的需求。

1. 关键参数

BSH114,215 具有以下主要技术参数：

• 漏极电流 (Id): 500mA（额定值），在不同 Id 下，导通电阻（Rds On）最大为 500 毫欧，能够有效降低功耗，提升系统整体效率。
• 导通电阻 (Rds On): 在 500mA 和 10V 驱动电压下的最大值为 500 毫欧，体现了该器件优秀的传导能力。
• 漏源电压 (Vdss): 最大可承受电压为 100V，适用于多种高电压应用场景。
• 驱动电压 (Vgs): 最大值为 ±20V，同时确保了其良好的开关特性和稳定性。
• 工作温度范围: -55°C 到 150°C，适应各种严苛环境条件。

2. 电气特性

在电气特性方面，BSH114,215 显示出优异的性能。其输入电容 (Ciss) 最大为 138pF @ 25V，意味着相对较低的输入驱动功耗，适合高频开关应用。

其栅极电荷 (Qg) 最大值为 4.6nC，表明在开启和关闭过程中所需的栅极驱动功耗较低，有利于驱动电路的设计。

此外，BSH114,215 的阈值电压 (Vgs(th)) 最大为 4V @ 1mA，这确保器件能够在较低的栅极电压下迅速导通，降低开关延迟，从而提高系统的整体响应速度。

3. 封装和外形结构

BSH114,215 采用 TO-236AB 封装，具有紧凑的外形设计，适合于各种空间受限的应用中。SOT-23 封装的设计使得器件在表面贴装时能够有效地与 PCB 结合，确保稳定的焊接质量与连接可靠性。

4. 应用领域

由于其出色的电气特性与可靠性，BSH114,215 的应用领域广泛，包括但不限于：

• 电源管理: 适用于各类开关电源、DC-DC 转换器、电池管理系统等，能够有效进行功率转换和管理。
• 电机控制: 在直流电机驱动系统中，能够提供高效、快速的开关控制，满足电机控制系统的动态响应需求。
• 消费电子: 包括手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中，作为开关元件使用，提升系统能效。
• 汽车电子: 适合于现代汽车中的各类电气控制系统，确保元件在高温、严苛环境下的稳定工作。

5. 结论

综合以上信息，BSH114,215 是一款性能卓越、适用范围广泛的 N 沟道 MOSFET，凭借其高效的电气特性、优异的热稳定性和可靠的封装设计，已成为电子产品设计师和工程师们的优选器件。无论是用于低功耗应用还是高频开关电路，BSH114,215 都展现出了强大的适应能力和出色的应用前景。通过选用 BS114,215，设计师们能够更轻松地实现高效、稳定的电路设计，推动现代电子技术的不断进步。