安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 800mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 工作温度 | 150°C(TJ) |
频率 - 跃迁 | 150MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 32V | 晶体管类型 | NPN |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 50mA,500mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 100mA,3V |
概述
2SD1781KT146Q 是一款高性能的表面贴装型 NPN 晶体管,专为高频应用和低功耗电路设计。该元件采用 ROHM(罗姆)品牌制造,属于 TO-236-3 (SOT-23-3) 封装,适合于各种现代电子设备中的集成电路应用。随着电子产品对高效率和小型化的不断追求,2SD1781KT146Q 以其出色的电流处理能力和热稳定性,成为工程师们优先考虑的选择。
主要参数
安装类型: 该元件为表面贴装型(SMT),这使得其在现代电子设备中易于集成,适合高密度电路设计。
电流特性:
工作温度: 最大工作温度可达 150°C(TJ),适合于严苛的工作环境下使用。该高温范围使得其能够在高温电子产品中稳定运行,如汽车电子和工业控制系统。
频率特性: 该器件的频率跃迁特性为 150MHz,意味着它适用于高频信号处理及射频电路,可广泛应用于通信设备中。
功率特性: 最大功率为 200mW,表明其在功率管理和开关应用中的灵活性和可靠性。
电压特性: 集射极击穿电压(Vce)最大为 32V,确保在较高电压应用中的安全性。
饱和压降: 在不同的 Ib 和 Ic 下,Vce 的饱和压降最大值为 400mV(在 50mA 时)和 500mV(在 500mA 时),这意味着在高负载条件下,当前流过晶体管时的压降相对较小,从而优化了功率损耗。
直流电流增益: 在 100mA 及 3V 条件下,DC 电流增益(hFE)的最小值为 120,这保证了其在放大电路中具有良好的放大能力,是设计放大电路的理想选择。
应用场景
2SD1781KT146Q 通常被应用于以下几个领域:
总结
总的来说,2SD1781KT146Q 是一款性能卓越的 NPN 晶体管,具有高电流处理能力、优良的频率特性和良好的功率管理能力,适合广泛的电子设备和应用场景。其可靠的工作性能和稳定的电气特性,使其在电子设计中成为不可或缺的重要元件。ROHM 品牌的品质保障也让该产品更具市场竞争力,广泛受到设计工程师的青睐。