SI4825DDY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.245g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.7W；5W 30V 14.9A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
7500(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.97按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.97
--
100+
￥1.51
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1250+
￥1.32
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2500+
￥1.24
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4825DDY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 14.9A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 12.5mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14.9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12.5 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2550pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta），5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4825DDY-T1-GE3手册
SI4825DDY-T1-GE3概述
SI4825DDY-T1-GE3 产品概述
SI4825DDY-T1-GE3是一款由知名电子元件制造商VISHAY（威世）生产的高性能P沟道MOSFET（场效应管）。该元件适用于多种电子应用，特别是在需要高效电源管理、开关控制和电信号放大等场景中，表现出色。以下是对该产品的详细介绍。
1. 基本参数
SI4825DDY-T1-GE3的主要电气参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 14.9A（在25°C时，采用案例温度Tc），使其在实际应用中具有较强的耐载能力。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.5V @ 250µA，表明它能够在较低的栅极电压条件下工作。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 12.5mΩ @ 10A, 10V，极低的导通电阻有助于减少能量损耗，提高电路的整体效率。
- 最大功率耗散: 5W（Tc条件下）和2.7W（Ta条件下），适合在不同的环境条件下应用。
2. 设计考虑
SI4825DDY-T1-GE3采用了先进的金属氧化物半导体技术（MOSFET），在高频和高温环境下依然保持良好的性能。其工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，满足严苛环境下的应用要求。这种优化的温度稳定性和性能使得该产品非常适用于汽车、工业设备以及消费电子产品等领域。
3. 驱动与控制
该MOSFET的驱动电压范围为4.5V至10V，这使其在不同的电源条件下都能够实现良好控制。其栅极电荷（Qg）最大值为86nC @ 10V，说明其响应速度快，适合高频开关操作。这对于需要快速开关和高效率电源转换的应用来说尤为重要。
4. 封装与安装
SI4825DDY-T1-GE3采用8-SO封装（SOIC-8），具有紧凑的结构和优良的热性能。表面贴装类型的设计使得该元件可以方便地集成在各种PCB（印刷电路板）设计中，减少了空间占用，提升了整体设计的灵活性。
5. 应用场景
由于其优越的电气特性，SI4825DDY-T1-GE3适用于以下应用场景：
- 电源管理: 适用于DC-DC转换器、Buck或Boost转换器等电源管理电路。
- 电动机控制: 在电动机驱动器和伺服控制系统中，承担开关控制的责任。
- 通信设备: 在各种通信设备中，作为开关元件，提高信号传输效率。
- 消费电子: 适用于智能家居、便携式设备等，提供高效的能源管理方案。
6. 结论
综上所述，SI4825DDY-T1-GE3是一个功能强大、性能优越的P沟道MOSFET。其在漏源电压、持续电流及导通电阻等关键参数上的优势，使其在电源管理与开关应用中表现突出，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。凭借VISHAY的品牌信誉和良好的市场反馈，该MOSFET将在智能设备、工业控制及高效电源解决方案中发挥关键作用。