晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 60V | 额定功率 | 600mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 100mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 500mA,5V | 功率 - 最大值 | 600mW |
频率 - 跃迁 | 150MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
DSS4160V-7 是一款由DIODES(美台)出品的高性能NPN型晶体管,封装采用SOT-563。这款晶体管以其卓越的集电极电流能力和高工作频率,广泛应用于功率放大、开关电源及信号放大等领域。不仅具备良好的温度稳定性和低饱和压降, 更是为系统设计者提供了一个可靠且高效的解决方案。
DSS4160V-7的主要技术参数包括:
DSS4160V-7采用小型的SOT-563表面贴装封装,其优越的体积和散热特性使其非常适合于各种紧凑型电路板布局。此封装方式不仅降低了元件间的电磁干扰,还便于自动化焊接与装配,提高了生产效率。
DSS4160V-7在多个领域表现出色,主要应用包括:
DSS4160V-7在设计中强调了几个关键优势:
DSS4160V-7 是一款功能强大、性价比高的NPN型晶体管,适用于各种电子设备中的高频开关与放大应用。其优异的电气性能与堪称优秀的工作温度范围,使它成为现代电子设计中的理想选择,无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,都能发挥出色的性能。如需进一步的技术支持或数据手册,请联系DIODES的授权代理商获取更多信息。
通过应用DSS4160V-7,设计工程师可以确保产品的高效性、可靠性和竞争力,使其在迅速发展的市场中赢得先机。