DSS4160V-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DSS4160V-7

商品编码: BM0000000573
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
0.012g
描述 : 
三极管(BJT) 600mW 60V 1A NPN SOT-563
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.605
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.605
--
200+
¥0.39
--
1500+
¥0.339
--
3000+
¥0.3
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DSS4160V-7参数

晶体管类型NPN集电极电流Ic1A
集射极击穿电压Vce60V额定功率600mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A电压 - 集射极击穿(最大值)60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 100mA,1A电流 - 集电极截止(最大值)100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 500mA,5V功率 - 最大值600mW
频率 - 跃迁150MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SOT-563

DSS4160V-7手册

DSS4160V-7概述

DSS4160V-7 产品概述

1. 产品简介

DSS4160V-7 是一款由DIODES(美台)出品的高性能NPN型晶体管,封装采用SOT-563。这款晶体管以其卓越的集电极电流能力和高工作频率,广泛应用于功率放大、开关电源及信号放大等领域。不仅具备良好的温度稳定性和低饱和压降, 更是为系统设计者提供了一个可靠且高效的解决方案。

2. 技术参数

DSS4160V-7的主要技术参数包括:

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 最大值为1A,提供充足的驱动能力
  • 集射极击穿电压(Vce): 最大60V,确保在高电压环境下的稳定性
  • 额定功率: 600mW,适应多种功率应用
  • 饱和压降(Vce(sat)): 在不同的Ib、Ic时,最大值达250mV(@100mA,1A),确保高效能和低热量损耗
  • 集电极电流截止电流(Ic(off)): 最大100nA,确保在关闭状态下的低漏电流
  • 直流电流增益(hFE): 在500mA、5V时,最低200的增益,支持更强的信号放大能力
  • 工作频率: 跃迁频率为150MHz,适合高频率应用
  • 工作温度范围: -55°C至150°C,适应各种严苛的工作环境

3. 封装与安装

DSS4160V-7采用小型的SOT-563表面贴装封装,其优越的体积和散热特性使其非常适合于各种紧凑型电路板布局。此封装方式不仅降低了元件间的电磁干扰,还便于自动化焊接与装配,提高了生产效率。

4. 应用领域

DSS4160V-7在多个领域表现出色,主要应用包括:

  • 开关电源: 在DC-DC转换器和AC-DC电源中被作为开关器件,提供高效的电路操作。
  • 信号放大器: 在音频放大和射频放大器中使用,支持高频信号的良好传输。
  • 驱动器: 用于驱动电机、继电器和其他负载,提升产成品的可靠性和寿命。
  • 功率管理: 在电池管理系统中,帮助控制功率分配,优化电能利用。

5. 设计优势

DSS4160V-7在设计中强调了几个关键优势:

  • 高效能与功率: 其600mW的额定功率和低饱和压降使其在高功率场合中依然能够保持良好的热稳定性,减少了功耗。
  • 广泛的工作温度范围: 能适应严苛的环境条件,确保产品在极端温度下的良好运行性能。
  • 小体积和易于集成: SOT-563封装为产品的设计和集成带来了便利,特别是在低功耗和轻量化的需求增加的背景下。

6. 结论

DSS4160V-7 是一款功能强大、性价比高的NPN型晶体管,适用于各种电子设备中的高频开关与放大应用。其优异的电气性能与堪称优秀的工作温度范围,使它成为现代电子设计中的理想选择,无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,都能发挥出色的性能。如需进一步的技术支持或数据手册,请联系DIODES的授权代理商获取更多信息。

通过应用DSS4160V-7,设计工程师可以确保产品的高效性、可靠性和竞争力,使其在迅速发展的市场中赢得先机。