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DMTH6004SK3-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TO252
包装 :
编带
重量 :
0.46g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.9W；180W 60V 100A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
1565(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
5.13按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.13
--
100+
￥4.27
--
1250+
￥3.89
--
2500+
￥3.6
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMTH6004SK3-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.8 毫欧 @ 90A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 95.4nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4556pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 3.9W（Ta）, 180W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
DMTH6004SK3-13手册
无数据
DMTH6004SK3-13概述
产品概述：DMTH6004SK3-13 MOSFET
基本信息 DMTH6004SK3-13是一款高性能的N沟道MOSFET，旨在满足各类电子应用的需求。它具有出色的电流处理能力、低导通阻抗和广泛的工作温度范围，适合用于各种电源管理、开关电源、马达驱动以及其他高效能电子电路。
技术参数
- FET类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 100A（以热箱温度为标准）
- 最大Rds On: 3.8毫欧（在90A，10V下测试）
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大4V（在250µA下测得）
- 栅极电荷（Qg）: 最大95.4nC（在10V下测得）
- 输入电容（Ciss）: 最大4556pF（在30V下测得）
热管理 DMTH6004SK3-13在功率耗散方面表现出色，最大功率耗散为3.9W（环境温度）和180W（冷却条件下）。这使得器件可以在更高的负载条件下运行而不容易发生热失控，确保系统的稳定性和安全性。
工作条件 该MOSFET的工作温度范围从-55°C到175°C，广泛的工作温度范围使其能够在极端环境下稳定工作，适用于汽车及工业控制等高温应用。
封装与安装 DMTH6004SK3-13采用TO-252（D-Pak）封装，适合表面贴装（SMD）技术，具有良好的散热性能和可靠的电气接触。TO-252封装的设计使其在PCB上占用较小的空间，而又能提供优秀的散热性能，与标准的组装工艺兼容，便于自动化生产。
应用场景 DMTH6004SK3-13可广泛应用于:
- DC-DC转换器：其高电流和低导通阻抗使其成为高效电源管理的理想选择。
- 马达驱动：可用于驱动各种电机，满足高电流需求并保持低能耗。
- 开关转换电路：由于其低导通电阻和高开关速度，适合应用于开关电源和其他高频率应用。
- 自动化控制系统：其广泛的工作温度范围和高可靠性，能够在恶劣环境下继续工作，确保系统的长时间稳定运行。
总结 总的来说，DMTH6004SK3-13是一款性能优越的N沟道MOSFET，适合各种电源和驱动应用。其优异的电流处理性能、低导通阻抗、高热管理能力以及适应极端温度的特性，使其成为电子设计工程师的理想选择。无论是在电源管理、动力系统，还是各类高频率应用中，DMTH6004SK3-13都能够提供稳定、高效的性能表现。