ZVP4525E6TA
ZVP4525E6TA参数
| 漏源电压（Vdss） | 250V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 197mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 14Ω @ 200mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.1W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 197mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 欧姆 @ 200mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.45nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±40V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 73pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 | 封装/外壳 | SOT-23-6 |
ZVP4525E6TA手册
ZVP4525E6TA概述
ZVP4525E6TA 产品概述
产品简介
ZVP4525E6TA 是一款集成了先进技术的 P 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，旨在满足高电压、小功耗的电子应用需求。该部件由知名厂商 DIODES（美台）生产，采用 SOT-23-6 封装，适合表面贴装，广泛适用于各种电子电路中，如开关电源、功率放大器以及电容器充放电控制等场合。
电气特性
ZVP4525E6TA 的关键信息如下：
漏源电压（Vdss）: 该器件可承受高达 250V 的漏源电压，对于需要高电压稳定性的应用非常适合。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的条件下，ZVP4525E6TA 支持最高 197mA 的连续漏极电流，能够在低功耗情况下提供稳定的电流输出。
栅源电压阈值（Vgs(th)）: 当栅源极电流达到 1mA 时，门极阈值电压为 2V，使其在较小电压下实现导通，减少控制电路的驱动功耗。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 200mA 电流和 10V 的驱动电压下，漏源导通电阻最大值为 14Ω，有助于降低导通损耗。
最大功率耗散: 器件在环境温度 25°C 下，最大功率耗散为 1.1W，此参数是关键的热管理考虑因素之一。
驱动电压范围: 最小 Rds(on) 较低的驱动电压（3.5V 至 10V），充分展现其灵活的应用能力。
额外特性
ZVP4525E6TA 的其他重要参数包括：
工作温度范围: 器件能在 -55°C 到 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，适用于极端环境下的应用，确保了高可靠性。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容为 73pF，在 25V 的输入条件下表现出色，为此器件的开关速度提供了良好的基础。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 3.45nC 以 10V 驱动电压下测量，表明其控制电路负载小，适合高效能电路设计。
封装与应用
ZVP4525E6TA 采用 SOT-23-6 封装，体积小巧，便于表面贴装，适合广泛的现代电子设计。这种封装形式兼顾了体积和散热性能，特别适合于紧凑型设计的电子产品。
应用领域
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
开关电源: 用于电源转换和能量管理，提高系统的能效和性能。
电机驱动: 在电机控制和调速系统中，提供稳定的开关性能。
信号开关: 在音频和视频设备中，作为开关控制，实现信号传输的灵活控制。
LED 驱动: 在 LED 照明和显示设备中，提供可靠的开关功能。
总结
ZVP4525E6TA 以其优异的电气性能和较宽的应用范围，成为了现代电子设计中一种重要的 MOSFET 解决方案。无论是在高电压应用中，还是在对功耗敏感的设备中，ZVP4525E6TA 的存在都提供了强有力的支持，帮助工程师和设计师实现高性能的电路设计。其稳定性和高可靠性，使其在许多苛刻的工业和消费电子领域中得到了广泛使用。