QS6K1TR

产品概述：QS6K1TR场效应管

概述

QS6K1TR是一款高性能的N沟道场效应管（MOSFET），由ROHM（罗姆）公司制造，适用于各种低功率和中等功率应用。该产品采用表面贴装型(SMT)封装，封装类型为TSMT6(SC-95)，具有出色的电气性能和高可靠性，适合于现代电子设备中的高密度组装要求。

主要电气特性

1. 导通电阻（Rds(on)）: 在条件为1A电流和4.5V栅源电压（Vgs）下，最大导通电阻为238毫欧，确保低功耗和高效能的电流传输。

2. 最大漏极电流（Id）: 本产品的额定连续漏极电流为1A，适用于需要稳定电流的应用环境。

3. 漏源电压（Vdss）: 该MOSFET可以承受最大漏源电压为30V，适合多种中低压应用。

4. 输入电容（Ciss）: 在10V条件下，输入电容的最大值为77pF，这意味着在驱动时，器件具有较小的输入电阻，从而可以实现更快的开关速度。

5. 栅极电荷（Qg）: 在4.5V的栅源电压下，栅极电荷的最大值为2.4nC，表明在切换频率较高的应用场合下，该器件能够有效地降低开关损耗。

6. 阈值电压（Vgs(th)）: 在1mA的条件下，阈值电压的最大值为1.5V，意味着该器件能够在较低的栅源电压下稳定导通，符合逻辑电平门的特性。

工作条件和环境

QS6K1TR的工作温度范围广泛，额定温度可达到150°C（TJ），这使得它在极端环境下仍能保持良好的工作性能。这意味着在高温的工作条件下，依然能够保证稳定的电性能表现。

应用场景

该MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：

• 电源管理: 可用于开关电源和电压调节电路，通过其优秀的导通状态性能，降低功耗和热量产生。

• 电机控制: 在电机驱动应用中，能够作为开关器件，控制电动机的启停和速度调节。

• 逻辑电平电路: 由于其适中的阈值电压和低功耗特性，非常适合与数字电路配合，应用于逻辑控制等场合。

• 信号开关: 可在各种信号处理应用中用作开关，可靠性高且响应快速。

结论

QS6K1TR是一款具有卓越性能和高可靠性的N沟道MOSFET，它在多个应用领域提供了有效的解决方案。无论是电源管理、电机控制还是逻辑电平驱动，QS6K1TR凭借其小巧的封装和出色的电气特性，能够为现代电子产品带来更高的性能水平和能效。在选用MOSFET时，QS6K1TR无疑是一个理想的选择，为设计工程师在系统设计中提供了更多灵活性和可靠性。