晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3.5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 325mV @ 300mA,3.5A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 25nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 200mA,2V |
功率 - 最大值 | 3W | 频率 - 跃迁 | 160MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 3-UDFN | 供应商器件封装 | DFN2020B-3 |
产品概述:ZXTN620MATA
ZXTN620MATA是一款高性能的NPN晶体管,专为对电流与电压要求较高的应用场景而设计。其主要特性包括最大集电极电流为3.5A,集射极击穿电压最高可达80V,使其成为多种功率放大器和开关电源设计的理想选择。由于其在广泛工作温度范围内的稳定性(−55°C至150°C),它非常适合于要求严苛的工业环境和航空航天应用。
主要参数和应用
电流和电压规格:ZXTN620MATA的最大集电极电流达到3.5A,能够处理相对较大的负载。其集射极击穿电压为80V,意味着它可以在高电压环境下正常工作,这使其在电源管理和电机驱动等应用中表现出色。
饱和压降:在300mA及3.5A的工作条件下,ZXTN620MATA的Vce饱和压降最大值为325mV。这一特性使得晶体管在高负载和高效率下工作时能保持较低的热量产生,从而提高了整体系统的能效。
电流增益:该器件在200mA和2V的条件下,DC电流增益(hFE)最低可达300,显示出其高增益特性。这使得ZXTN620MATA能够有效地放大微小的信号,使其在音频放大器及其他信号处理应用中大放异彩。
工作频率:ZXTN620MATA的频率跃迁可达160MHz,其高频性能使得其适合于高频开关应用,如RF放大器和通信设备。
封装和安装:该晶体管采用三极管(BJT)U-DFN2020-3格式封装,具备良好的散热性能和较小的占板空间,且为表面贴装型设计,方便在现代自动化生产线上的批量应用。
应用场景
ZXTN620MATA适用于多种应用领域,包括但不限于以下几种:
总结
ZXTN620MATA是一款高效能、宽温度范围的NPN晶体管,凭借其优越的电流、电压和频率特性,为现代电子设计提供了强大的支持。其在电源管理、电机控制以及信号放大等多个领域的广泛应用前景,使其成为电子工程师和设计师的重要选择。通过选用ZXTN620MATA,用户不仅可以获得可靠的性能,还能提高他们系统的整体效率和稳定性。