DMN62D0SFD-7
DMN62D0SFD-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 540mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 430mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 540mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .87nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30.2pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 430mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | X1-DFN1212-3 | 封装/外壳 | 3-UDFN |
DMN62D0SFD-7手册
DMN62D0SFD-7概述
DMN62D0SFD-7 产品概述
一、产品识别信息
DMN62D0SFD-7是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），由DIODES（美台）公司生产。该产品采用表面贴装技术（SMT），封装类型为X1-DFN1212-3，尺寸为1.2mm x 1.2mm。其独特的设计和参数使其非常适用于各种需要高效能和小型化解决方案的电子设备。
二、关键技术参数
漏源电压（Vdss）: DMN62D0SFD-7的漏源电压为60V，意味着它可以在高电压环境下正常工作，适用于大部分消费电子和工业应用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，该器件的最大连续漏极电流为540mA，能够有效驱动负载。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 本产品的栅源极阈值电压为2.5V @ 1mA，表明其在较低电压条件下也能够可靠地进行开关操作。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 在10V的驱动电压和500mA的条件下，导通电阻为2Ω。低电阻值使得器件在导通时功耗较小，提高了整体能效。
功率耗散（Pd）: 最大功率耗散为430mW（在25°C温度下），适合于对功率管理严格的应用。
工作温度范围: 工作温度范围为-55°C至150°C，支持在极端环境条件下稳定运行。
栅极电荷（Qg）: 在10V的条件下，栅极电荷最大值为0.87nC，意味着更快的开关速度，有助于提高开关频率的效率。
输入电容（Ciss）: 在25V的情况下，输入电容最大值为30.2pF，表示该元件的驱动要求相对较低，有助于简化驱动电路设计。
三、应用场景
由于其优异的电气性能，DMN62D0SFD-7 MOSFET非常适合于以下应用场景：
开关电源（Switching Power Supplies）: 其高功率耗散能力和低导通电阻使其非常适合用于高效开关电源设计。
电机驱动（Motor Drives）: 在电机驱动电路中，DMN62D0SFD-7能够有效控制电机的开关频率，为各类电机提供可靠的驱动能力。
LED驱动器（LED Drivers）: 在LED照明领域，借助其高效率和小型化的封装，能够实现高效能的LED驱动设计。
便携式和消费电子产品: 广泛应用于手机、平板电脑及其他便携式装置中，满足其对功耗控制和温度稳定性的需求。
四、设计优势
小尺寸: 采用UDFN封装设计，DMN62D0SFD-7的体积小巧，适合高密度布板，特别是在空间有限的产品中展现出显著优势。
高可靠性: 具备广泛的工作温度范围和低导通电阻，能够确保在各种环境条件下稳定工作，提升了产品的可靠性。
便于热管理: 由于其较高的功率耗散能力，合理设计散热管理后可以有效降低设备整体温升，有助于延长产品的使用寿命。
五、总结
DMN62D0SFD-7是一款在性能与尺寸上均具有高竞争力的N沟道MOSFET，适合于广泛的电子应用。其优越的电气性能、小型半导体封装和多种应用场景使其成为设计师和工程师的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域，DMN62D0SFD-7都可以为您的设计带来高效能和高可靠性。