安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vr、F 时电容 | 3.5pF @ 6V,1MHz |
二极管类型 | 标准 | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
电流 - 平均整流 (Io) | 250mA | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 80V | 工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 70V | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
MMBD4448H-7-F 是一种高性能的快速恢复开关二极管,由知名品牌 DIODES(美台)生产。其设计旨在满足各种电子应用中的高效率、低功耗要求,尤其适用于电源管理和信号整流等场合。该二极管采用表面贴装型(SMD)封装,型号为 SOT-23,具有紧凑的尺寸和优良的电气性能,适合于现代电子设备的紧凑布局。
电流 - 平均整流(Io): MMBD4448H-7-F 支持高达 250mA 的平均整流电流。这使得该二极管在低电流信号的整流和开关应用中表现出色。
正向电压(Vf): 在 If 为 150mA 时,其正向电压为 1.25V。这一低正向电压特性确保了较小的功耗,使其在高频和快速切换应用中非常有效。
反向电压(Vr): 最大的直流反向电压可以达到 80V,这使得 MMBD4448H-7-F 能够承受较高的反向电压,适合于高压电源和信号整流的场合。
反向泄漏电流: 当反向电压为 70V 时,反向泄漏电流仅为 100nA,显示出该器件在闭合状态下的优异绝缘性能,适合于对漏电流要求严格的应用。
反向恢复时间(trr): 该二极管的反向恢复时间(trr)仅有 4ns,表明其在高频开关应用中极具竞争力,能够快速切换状态,从而减少了开关损耗。
操作温度范围: MMBD4448H-7-F 的结温范围为 -65°C 到 150°C,使其适用于各种严酷的工作环境,并且能保证在不同温度下的稳定性能。
由于其高效特性,MMBD4448H-7-F 在许多领域都得到了广泛应用,包括但不限于:
MMBD4448H-7-F 使用 SOT-23 封装,设计紧凑,便于表面贴装。SOT-23 封装不仅节省 PCB 占用空间,还能有效散热,提高器件的工作效率。这种封装的广泛兼容性使得其在各种设备和电路板上都能方便地实现集成。
综上所述,MMBD4448H-7-F 是一款性能优异、应用广泛的快速恢复开关二极管,凭借其低正向电压、出色的反向恢复性能以及高耐压能力,成为电子设计工程师在选择二极管时的理想选择。在采购和项目开发中,MMBD4448H-7-F 将为设计师提供可靠的解决方案,满足现代电子设备对高效率和低功耗的要求。