MMSTA42-7-F 产品实物图片
MMSTA42-7-F 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMSTA42-7-F

商品编码: BM0000000527
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT323
包装 : 
编带
重量 : 
0.014g
描述 : 
三极管(BJT) 200mW 300V 200mA NPN SOT-323-3
库存 :
5730(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.423
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.423
--
200+
¥0.273
--
1500+
¥0.237
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMSTA42-7-F参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)300V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)40 @ 30mA,10V
功率 - 最大值200mW频率 - 跃迁50MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70,SOT-323供应商器件封装SOT-323

MMSTA42-7-F手册

empty-page
无数据

MMSTA42-7-F概述

MMSTA42-7-F 产品概述

1. 产品简介

MMSTA42-7-F 是一种高性能 NPN 晶体管,适用于多种电子电路的开关和放大应用。这款三极管由美台(DIODES)制造,采用小型 SOT-323 封装,提供了优异的电性能和温度特性,使其在低功耗和紧凑型电路设计中非常受欢迎。设计电流达200mA,击穿电压高达300V,使其在工业、通信和消费电子等多个领域具有广泛的适用性。

2. 关键规格

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 200mA,适合高电流应用。
  • 最大集射极击穿电压 (Vceo): 300V,允许在较高电压条件下可靠工作,适合于高电压开关应用。
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在 2mA 和 20mA 时,饱和压降最大为 500mV,具有较低的功耗损耗。
  • 截止电流 (ICBO): 最大值为 100nA,满足高效能低功耗应用需求。
  • DC 电流增益 (hFE): 在 30mA 和 10V 时,最小值为 40,确保在放大应用中提供稳定的增益。
  • 最大功率: 200mW,适合多种功率级别的电路。
  • 工作频率: 跃迁频率为 50MHz,适合高频应用。
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C,确保在严苛环境下长期稳定工作。

3. 封装与尺寸

MMSTA42-7-F 采用小型 SOT-323 封装,使其非常适合于空间受限的电路设计。SOT-323 封装具有良好的热管理和电气性能,支持高密度表面贴装(SMD)技术,便于自动化生产。

4. 应用场景

MMSTA42-7-F 由于其优异的规格和特性,广泛适用于以下领域:

  • 工业控制: 可用于电动机驱动、电源管理和信号处理等电气控制系统。
  • 消费电子产品: 在手机、平板电脑、家庭助手等设备中用于信号放大和开关作用。
  • 通信设备: 支持信号调制、信号放大等功能,适合于无线电频率 (RF) 应用。
  • 汽车电子: 可应用于汽车传感器、控制模块和其他不同的车载电子电路中。

5. 设计考虑

在设计应用中,选择 MMSTA42-7-F 需要注意以下几点:

  • 散热管理: 尽管其功率限制在 200mW,但在较高的集电极电流下运作时,确保适当的散热措施是很重要的,以防止过热。
  • 偏置电路设计: 合理设计偏置电路确保晶体管在所需的工作区间运行,支持 optimal DC 电流增益。
  • 频响特性: 对于高频应用,建议进行必要的频域响应测试,以验证其性能也符合设计预期。

6. 结论

总的来说,MMSTA42-7-F 是一款性能可靠、适应性强的 NPN 晶体管,能够在较宽的工作条件下持续稳定工作。其高集电极电流、宽电压范围及小巧的 SOT-323 封装,使其成为各种应用中不可或缺的电子元件。设计师可以通过合理的电路设计,将该产品充分运用在新一代的电子产品中,从而提升产品性能和可靠性。