存储器类型 | 非易失 | 存储器格式 | 闪存 |
技术 | FLASH - NOR | 存储容量 | 64Mb (8M x 8,4M x 16) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 60ns |
访问时间 | 70ns | 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) | 供应商器件封装 | 48-TSOP |
Cypress S29GL064S70TFI040是一款高性能的FLASH - NOR存储器,具有64Mb的存储容量,广泛用于嵌入式系统、消费电子、工业控制以及通信设备等多个应用领域。该器件提供了非易失性存储解决方案,确保在断电或电源故障时数据不丢失,适合需要高可靠性和耐用性的应用场景。
存储容量与格式:S29GL064S70TFI040提供64Mb的非易失性存储器容量,可以配置为8M x 8位或4M x 16位的存储格式。这种灵活性使得该器件能够满足各种不同的应用需求。
高速读取和写入:该存储器具有快速的读写性能,写周期时间仅为60ns,访问时间为70ns。这意味着在数据处理和存储操作时,可以实现低延迟和高效率,适用于对速度有较高要求的应用。
电源与操作温度范围:器件的供电电压范围为2.7V至3.6V,确保了在多种电源条件下的稳定运行。同时,其工作温度范围为-40°C至85°C,特别适合工业和户外环境,能够在极端条件下保持可靠性。
接口和封装:S29GL064S70TFI040采用并联存储器接口,易于与多种微控制器和处理器协同工作。其封装形式为48-TFSOP,尺寸为0.724英寸(18.40mm),设计为表面贴装型(SMD),方便实现高密度的电路板设计。
耐用性与可靠性:作为一款非易失性存储器,S29GL064S70TFI040内置的写入和擦除循环达到高达100,000次,这确保了在长时间使用下,设备的存储能力依旧牢靠。此特性特别适用于频繁更新数据的应用。
Cypress S29GL064S70TFI040的多种特性使其在多个领域中具有广泛的应用潜力:
在当前对高性能、高可靠性的存储解决方案需求日益增加的背景下,Cypress S29GL064S70TFI040凭借其非易失性、高速性能、广泛适应的供电和温度范围、以及灵活的封装设计,成为了众多产品设计中的理想选择。无论是在消费者产品、工业应用还是通信设备中,客户都可以依靠S29GL064S70TFI040提供稳定且高效的数据存储服务。 Redistributions of this description may enhance your design capabilities while ensuring that you select an advanced memory solution that meets both current and future application needs.