DMN2450UFB4-7B
DMN2450UFB4-7B参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 56pF @ 16V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | X2-DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
DMN2450UFB4-7B手册
DMN2450UFB4-7B概述
DMN2450UFB4-7B 产品概述
概述 DMN2450UFB4-7B是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），适用于多种电子电路及应用。该器件通过其优越的电气特性、高温工作范围和小型封装设计，使其在各种功率管理、开关和放大应用中表现出色。DMN2450UFB4-7B的主要参数包括20V的漏源电压（Vdss）、1A的连续漏极电流（Id）、最大500mW的功耗和工作温度范围为-55°C到150°C，从而保证了其在广泛的环境下可靠运行。
电气特性 DMN2450UFB4-7B的电气特性使其适合于低功耗和高效率电路设计。其最大导通电阻（Rds On）为400毫欧，适用于在4.5V Vgs（栅源电压）时，600mA漏极电流的条件下。所需的驱动电压较低，最小驱动电压为1.8V，同时最大驱动电压可达4.5V。这使得在不同工作状态下，该器件具有出色的切换速度和系统效率，尤其在需要快速开关的应用场景中表现优异。
此器件的阈值电压（Vgs(th)）为900mV @ 250µA，确保在所需的低栅电压下即可启动，这对于低电压操作的电路设计非常重要。此外，最大栅极电荷（Qg）为1.3nC @ 10V，意味着其在高频应用中具有较高的响应能力和效率。
封装与安装 DMN2450UFB4-7B采用X2-DFN1006-3封装，这是一种表面贴装型（SMD）设计，具有小巧的体积和优良的散热性能。该封装的尺寸为1.0mm x 0.6mm，适合于密集的PCB设计和空间受限的应用环境。通过表面贴装，安装过程更为简便，可以大幅度减少生产过程中的人力成本与时间。
工作温度与功率性能 DMN2450UFB4-7B具有宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，适合在严格温度条件下工作的场合。最大功率耗散达到500mW，确保在较高负载下使用的可靠性，适合于电池供电的便携式设备以及高效能的功率转换器。
应用领域 凭借其优良的电气特性，DMN2450UFB4-7B可广泛应用于以下场合：
- 电源管理：用于DC-DC转换器、电源开关和负载开关，可提高整个系统的工作效率。
- 开关电路：在自动化设备和家用电器中起到关键作用，尤其是在继电器驱动和电机控制方面。
- 便携式电子设备：由于其低驱动电压和小型封装，非常适合用于智能手机、笔记本电脑以及各种可穿戴设备中。
- 功率放大：在RF和音频设备中用作功率放大器的开关元件，提升信号质量。
总结 DMN2450UFB4-7B是一款高效、可靠的N通道MOSFET，通过其卓越的电气性能和紧凑的封装尺寸，满足现代电子设计对高性能和小型化的需求。它的应用范围覆盖广泛，能够满足多种工业、消费类及汽车电子应用的需求，是理想的选择。