FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14 毫欧 @ 8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.7nC @ 5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 798pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 1.46W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
DMN4800LSSL-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由美台(DIODES)公司制造。该器件采用了 8-SOIC 封装,具有紧凑的尺寸和卓越的电气特性,广泛应用于各种电子设备中的开关电路和功率管理应用。其设计旨在满足现代电子产品对高效能、低损耗和高可靠性的需求。
DMN4800LSSL-13 的主要电气参数包括:
DMN4800LSSL-13 具备广泛的工作温度范围,从 -55°C 到 150°C,适应严苛工作环境条件,确保在高温和低温条件下仍能稳定工作。其最大功率耗散能力为 1.46W,使得该器件非常适合于需要小型化和高散热能力的应用场景。
该器件采用 8-SOIC(小型外形集成电路)封装,封装尺寸为 0.154"(3.9mm 宽),便于表面贴装(SMD)。该设计在节省空间的前提下,提供了优良的散热性能,适合于各种电子设备的主板和子板设计。
DMN4800LSSL-13 N 通道 MOSFET 广泛应用于以下领域:
DMN4800LSSL-13 是一款高效、稳定的小型化 N 通道 MOSFET,凭借其出色的电气性能和可靠性,成为当今各种电子设备中不可或缺的开关元件。无论是在工业设备、消费电子还是电源管理领域,这款 MOSFET 均可为设计人员提供良好的选择。其优秀的热管理特性和宽广的工作温度范围,使其在多种应用场合中展现出色的表现,是追求性能和耐用性的理想选择。