DMN2056U-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.033g
描述 :
场效应管(MOSFET) 940mW 20V 4A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
2853(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
0.421按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.421
--
200+
￥0.271
--
1500+
￥0.236
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2056U-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 38mΩ @ 3.6A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 940mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 38 毫欧 @ 3.6A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.3nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 339pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 940mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN2056U-7手册
DMN2056U-7概述
产品概述：DMN2056U-7 N通道MOSFET
一、产品简介
DMN2056U-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），由著名半导体制造商 DIODES（美台）出品。以其出色的电气特性和优异的热稳定性，这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动、电压调节等领域。其封装为 SOT-23，适合表面贴装型（SMD），足以满足各类电子设备的紧凑性和低功耗设计需求。
二、主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 38mΩ @ 3.6A, 4.5V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）: 940mW
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 栅极电荷（Qg）: 4.3nC @ 4.5V
- 输入电容（Ciss）: 339pF @ 10V
- 封装类型: SOT-23-3
三、电气特性分析
DMN2056U-7 的漏源电压为 20V，使其适合低压应用中的多种场合。其连续漏极电流为 4A，可以满足较大电流驱动需求。此外，1V 的栅源阈值电压意味着该器件能够在低电平控制下实现导通，从而在电路中提供更好的兼容性和更简便的驱动方案。
Rds(on) 的值为 38mΩ，在高达 3.6A 的工作流中，这一特性使得电流的损失非常低，提供了高效的电流传输能力，减少了大功率器件发热所引起的能量浪费。在功率耗散方面，940mW 的极限值确保了该 MOSFET 在高负载下也能够稳定运行。
四、热特性与环境适应性
DMN2056U-7 具备宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），这使得它即使在极端环境条件下也能保持良好的运行表现，非常适合应用于汽车电子、工业控制及其他要求高可靠性的领域。此外，其 SOT-23 封装特性使得安装便捷，能够在现代电子设计中节省空间，提高组件密度。
五、应用场景
DMN2056U-7 的应用场景极为广泛，以下是一些典型应用：
- 开关电源: 作为整流器和开关元件使用于电源管理系统中。
- 马达驱动: 适用于直流电机和步进电机的驱动电路，提供高效的开关控制。
- 电压调节器: 可以在稳压器和电源转换器中帮助实现高效电源供应。
- 电流保护电路: 在过流保护中，DMN2056U-7 可作开关元件，有助于提高电路的安全性。
六、总结
DMN2056U-7 N 通道 MOSFET 以其小型化结构、高效能导通特性和宽温工作范围，在众多应用中表现出色。无论是在高频开关应用还是需要高效节能方案的设计中，它都展示了无与伦比的可靠性和灵活性，是现代电子工程师实现创新设计的理想选择。通过利用其独特的电气特性，设计者能够开发出更高效、更可靠的电子设备。