BC858C-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BC858C-7-F

商品编码: BM0000000507
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 30V 100mA PNP SOT-23
库存 :
1107(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.592
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.592
--
200+
¥0.198
--
1500+
¥0.123
--
3000+
¥0.085
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BC858C-7-F参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)30V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值)15nA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)420 @ 2mA,5V
功率 - 最大值300mW频率 - 跃迁200MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

BC858C-7-F手册

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BC858C-7-F概述

产品概述:BC858C-7-F

概述

BC858C-7-F是一款高性能PNP型晶体管,属于双极型晶体管(BJT)系列,专为提供在各种低功耗应用中出色的电流增益和频率响应而设计。该型号晶体管适用于需要一定电压和电流控制的电路中,能够满足多种电子设备的要求。其表面贴装式(SMD)封装,使其在现代电路设计中非常理想,尤其对于空间有限的应用场景。

主要参数

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  • 集射极击穿电压 (Vceo): 30V
  • DC电流增益 (hFE): 最小420 @ 2mA,5V
  • 饱和压降 (Vce(Sat)): 最大值650mV @ 5mA,100mA
  • 集电极截止电流 (Ic(Off)): 最大15nA
  • 功率最大值: 300mW
  • 跃迁频率: 200MHz
  • 工作温度范围: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 封装类型: SOT-23
  • 供应商器件封装: SOT-23-3

应用场景

BC858C-7-F广泛应用于许多电子电路中,尤其是在音频放大器、开关电路、信号放大、以及逻辑电路等场合。其出色的温度范围以及高增益使其在严苛环境下都能保持良好的工作状态。此外,由于其低饱和压降,适合用于电源管理和低功耗传输。

  1. 开关电路: 在这种应用中,BC858C-7-F可以作为开关元件,用于控制大电流或大电压设备的启动和停止。当输入信号超出特定阈值时,晶体管可迅速转变为导通状态。

  2. 放大器电路: 由于其高电流增益,BC858C-7-F可作为信号放大器,增强微弱信号至更高的电平,广泛应用于音频和射频放大器中。

  3. 精密控制应用: 在要求精准电流控制的项目中,例如自动化控制系统以及传感器信号增强,BC858C-7-F均表现良好。

  4. 高频电路: 其200MHz的跃迁频率适合于高频信号处理,常用于射频通信及高速数据传输设备。

封装和安装

BC858C-7-F采用SOT-23封装,具有良好的散热特性和空间利用率。表面贴装型设计使得该产品能够在自动化线路板生产中高效安装,适合现代电子装置及嵌入式系统。

温度特性

该晶体管的工作温度范围为-65°C至150°C,使其在极端环境中仍能稳定工作,适用于汽车电子、航空航天及工业控制等领域。

结论

BC858C-7-F是功能强大且灵活的PNP晶体管,具有出色的DC电流增益和温度稳定性,适合各种应用场合。其低功耗特性和高频响应使其成为现代电子电路设计中的理想选择,特别是在需要高效信号处理和控制的场景中。凭借其高效的性能和稳定性,BC858C-7-F为电子工程师在不同应用场景中提供了可靠的解决方案。