晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 420 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
BC857CW-7-F 是一款高性能的PNP型三极管,专为要求严格的电子电路而设计。该器件具有良好的电流增益特性,适用于各种低功耗的放大和开关应用。此款三极管由DIODES(美台)公司制造,采用SOT-323封装,表面贴装型设计,方便在现代电路板上实现高密度布局。整体而言,BC857CW-7-F 是适合于消费电子、工业控制及其他各类电子设备的理想选择。
高增益性能: BC857CW-7-F 的直流电流增益(hFE)高达420,能够在小信号应用中实现高效的信号放大。这使其适用于传感器前置放大、电流驱动等多种场景。
高频操作: 该三极管的跃迁频率达到200 MHz,意味着其可以在高频应用中保持较好的性能,适用于RF放大器和高频开关电路。
稳健的击穿电压: 最大集射极击穿电压为45V,确保了在高电压环境下工作的可靠性,合适用于汽车电子、工业控制等高压场合。
优秀的静态特性: 截止电流(ICBO)仅为15nA,显示出其优异的漏电特性,非常适用于电池供电的设备,以延长电池寿命。
宽工作温度范围: -65°C 至 150°C 的工作温度范围使此器件能够在极端环境条件下稳定工作,适配航空航天、军事和其他高要求工业应用。
小型化封装: SOT-323表面贴装封装,适合现代电子设备的小型化设计需求,便于实现紧凑布局和自动化焊接。
BC857CW-7-F 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
BC857CW-7-F 是一款性能卓越的PNP型晶体管,为用户提供了高增益、低静态电流、高频率和广泛的工作温度特性。无论是在消费电子还是工业控制领域,该三极管都能满足高效稳定的应用需求。随着电子产品向小型化、低功耗和高性能的方向发展,BC857CW-7-F 在未来的电子设计中将发挥更大的价值。对于设计师和工程师而言,选择BC857CW-7-F 将为产品的性能提升和电路设计的优化提供有力支持。