DDTD123TC-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTD123TC-7-F

商品编码: BM0000000498
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 500mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
库存 :
578(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.283
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.283
--
200+
¥0.182
--
1500+
¥0.158
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTD123TC-7-F参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 50mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

DDTD123TC-7-F手册

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DDTD123TC-7-F概述

DDTD123TC-7-F 产品概述

概述

DDTD123TC-7-F 是一款高性能的 NPN 预偏置数字晶体管,封装采用 SOT-23 类型,具有优秀的电气特性,适用于各种电子电路的信号放大和开关应用。作为美台 DIODES 品牌的一员,该产品在业界享有良好的声誉,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制等领域。

主要特点

  1. 电流和电压特性

    • 该晶体管的集电极电流 (Ic) 最高可达 500mA,能够满足一般电子电路对于大电流的需求。
    • 集射极击穿电压 (Vce) 的最大值为 50V,提供了良好的电压耐受能力,使其能够在较高电压环境中稳定工作。
  2. 增益和饱和压降

    • 在 50mA 的集电极电流下,当 Vce 为 5V 时,最低直流电流增益 (hFE) 高达 100,表明该晶体管在低功耗条件下仍具备显著的放大能力。
    • Vce 的饱和压降最大值为 300mV,在 2.5mA 的基极电流下,50mA 的集电极电流条件下,表明其在开关状态下能够有效地降低功耗,提升系统效能。
  3. 温度和功率特性

    • 最大功率可达到 200mW,这使得 DDTD123TC-7-F 能够在多种应用场景下稳定运行,且不会因功耗过高而受到损害。
    • 集电极截止电流(ICBO)低至 500nA,确保了在未导通状态下的极低漏电流,提升了工作效率及线路的信号稳定性。
  4. 高频性能

    • 该晶体管的跃迁频率达 200MHz,适用于需要快速开关的数字电路,有助于提高系统的整体性能,尤其是在高频信号处理的应用中表现优异。
  5. 安装与封装

    • DDTD123TC-7-F 采用 SOT-23 封装,体积小巧,适合表面贴装技术 (SMT),使得其在设计紧凑型电路时尤为理想。小型封装的设计简化了布局,并提高了电路的集成度,适合现代电子设备对体积的苛刻要求。

应用场景

DDTD123TC-7-F 产品特别适用于以下几种应用场景:

  • 开关电路:因其高效率和低饱和压降特性,使其能够在电源管理和开关应用中得到广泛应用。
  • 信号放大器:得益于优良的频率和增益特性,适用于信号放大的场合,尤其是在音频设备和无线通信设备中广受欢迎。
  • 开关电源:该晶体管能够在各种电源管理方案中发挥作用,进一步提升电源的效率与稳定性。
  • 便携设备:由于其低功耗特点,适合用于手机、平板电脑以及其他便携式电子设备中。

小结

DDTD123TC-7-F 是一款高效、可靠、与众不同的 NPN 预偏置数字晶体管,具备杰出的电气性能以及广泛的应用潜力。其适合高频、高效能的特点使其成为现代电子电路设计中的理想选择。美台 DIODES 品牌作为该型号的制造商,提供了稳定的生产和供应保障,确保用户在实际应用中能够取得满意的性能表现。无论是在日常消费电子还是工业设备中,DDTD123TC-7-F 都是提升产品性能的可靠选择。