晶体管类型 | NPN,PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V / 220 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 150mW | 频率 - 跃迁 | 300MHz,200MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
BC847BVN-7 是一款由 DIODES(美台)公司生产的 NPN 和 PNP 结构的双极型晶体管(BJT),适合于各种自动化和控制应用。其设计目标是为当今电子设备提供高性能的开关和放大功能。它具有较宽的工作电流和电压范围,适合多种电子电路,如信号放大、开关、电源管理等。
BC847BVN-7 可广泛应用于多种电子产品中,包括但不限于:
BC847BVN-7 是一款结合高效能、可靠性和广泛适用性的双极型晶体管。其具备的高增益性能、低饱和压降以及良好的热稳定性,使其成为各类电子设计中不可或缺的重要组件。无论是在严苛的工业环境,还是精密的消费电子领域,BC847BVN-7 都能发挥其卓越的性能,为用户提供优秀的解决方案。