FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 250V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 44A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 46 毫欧 @ 26A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4560pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 310W(Tc) | 工作温度 | -40°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247AC |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP4229PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电源管理及高频开关电路中。采用先进的金属氧化物半导体技术,这款 MOSFET 具有卓越的电导通能力和热性能,非常适合高效率应用。
电压和电流承受能力:
低导通电阻:
驱动和栅极性能:
封装特性:
工作环境: -工作温度范围从 -40°C 到 +175°C,能够在严苛环境下稳定工作,适应高温和冷却条件变化大的场合。这样的热性能适合于高压逆变器、电动汽车、可再生能源装置等应用。
IRFP4229PBF 适用于多个领域,包括但不限于:
IRFP4229PBF 是一款高效能的 N 通道 MOSFET,结合了高电压、高电流、高导通能力以及良好的热特性,适合各种工业和商用电力电子应用。其 TO-247AC 封装的设计使其在高温和重负载条件下也能优异工作,是现代电力电子设计中理想的选择。无论是在开关电源、逆变器,还是电力管理和电机驱动领域,IRFP4229PBF 都能提供可靠的性能和优秀的效率。