MT41K256M16HA-125:E

产品概述：MT41K256M16HA-125:E

概述

MT41K256M16HA-125:E 是由 Micron Technology Inc. 生产的一款高性能 DDR3L SDRAM 存储器 IC。它的存储容量为 4Gb（256M x 16），以支持多种现代电子设备的性能需求。此存储器采用先进的 96-TFBGA 封装（规格为 9x14mm），以非常适合表面贴装技术（SMT）的方式进行安装，为设计师提供了更大的灵活性和设计效率。

基本参数

• 制造商: Micron Technology Inc.
• 零件状态: 停产
• 存储器类型: 易失性存储器
• 存储器格式: DDR3L SDRAM
• 存储容量: 4Gb（256M x 16）
• 存储器接口: 并联
• 电压 - 供电: 1.283V ~ 1.45V
• 工作温度: 0°C ~ 95°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装/外壳: 96-FBGA（9x14mm）
• 时钟频率: 800MHz
• 访问时间: 13.75ns
• 基本产品编号: MT41K256M16

技术特点

1. DDR3L 技术: 作为一种低电压版本的 DDR3，DDR3L 能够以较低的能耗提供高效的性能，使其非常适合电池供电的设备及高性能要求的冷却系统设计。

2. 存储容量与接口: 该 IC 具有 4Gb 的存储容量，采用并联接口，这使得它在数据传输时能够更高效地并行工作，提升了整体的性能与响应速度。

3. 工作电压: 该组件的工作电压在 1.283V 到 1.45V 之间的范围，为设计师在系统设计上提供了很大的灵活性。其低电压特性使其非常适合智能手机、笔记本电脑和其他嵌入式设备等对电池续航有较高要求的应用。

4. 温度范围: 该存储器 IC 的工作温度范围为 0°C 到 95°C，适合各种环境条件下的使用。这种宽广的温度适应性使其非常适合在多种工业应用中使用。

5. 时钟频率与访问时间: 800MHz 的时钟频率和 13.75ns 的访问时间，符合现代数据访问需求，确保在高性能应用下的快速数据存取。

应用场景

MT41K256M16HA-125:E 存储器 IC 适用于多种应用场景，包括：

1. 移动设备: 机敏的响应以及较低的功耗，使得此款存储器非常适合智能手机和平板电脑等移动设备。

2. 笔记本电脑: DDR3L 技术允许笔记本电脑在保证性能的前提下，延长电池续航时间，非常适合轻薄型和高端设备。

3. 嵌入式系统: 由于其小型化设计和高效能特性，该存储器也适用于各种嵌入式应用，如物联网设备和工业控制系统。

4. 图像处理器及游戏设备: 在需要快速数据访问和高带宽的图像处理任务中，MT41K256M16HA-125:E 表现出色，适合高性能图像处理器及游戏机的需求。

总结

虽然 MT41K256M16HA-125:E 这款 IC 目前已经停产，但其在易失性存储器领域的技术特性和出色的应用性能，依然为开发各类设备提供了有效的参考。对于追求高效能和低功耗设备的设计师而言，这款 DDR3L SDRAM 存储器 IC 依然是一个值得学习和借鉴的行业标准。