2SK879-Y(TE85L,F)

产品概述：2SK879-Y(TE85L,F)

一、产品简介

2SK879-Y(TE85L,F)是一款由东芝（TOSHIBA）制造的高性能N沟道场效应晶体管（JFET），专门设计用于高频及小信号处理电路。其封装形式为SC-70和SOT-323，具有优异的电气性能和小巧的尺寸，使其非常适合表面贴装（SMD）应用。2SK879-Y的工作电流和电压特性使其成为信号放大、开关和其他各种小信号处理应用的理想选择。

二、主要参数

• 封装类型: SC-70, SOT-323
• FET类型: N沟道
• 漏电流（Idss）: 1.2mA @ 10V
• 截止电压（VGS off）: 400mV @ 100nA
• 输入电容（Ciss）: 最大值8.2pF @ 10V
• 最大功率: 100mW
• 工作温度范围: -55°C至125°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 基于供应商的器件封装: USM

三、电气特性

2SK879-Y在各种工作环境下具备卓越的性能。其在不同的Vds（漏源电压）条件下，Vgs（栅源电压）为0时，可以提供最大漏电流Idss为1.2mA。这使其在低电压条件下能够有效操作，适合于对电源电压敏感的应用。同时，截止电压VGS off为400mV，保证了器件在极低栅源电压下的可靠关闭能力，避免了误动作。

四、频率特性

该晶体管的输入电容Ciss高达8.2pF，这个特性表明其在高频信号处理中的表现相当出色。低输入电容有利于提高频带宽度，使得该JFET在高频电路中应用更加灵活，能够处理更迅速的信号变化。

五、散热能力与功率管理

2SK879-Y的最大功率为100mW，适合多种小功率应用。其最大工作温度达125°C（TJ），使得该器件能够在相对较高的环境温度下正常运行，提供了较好的散热能力。这对于高温环境中的电子设备尤为重要，如汽车电子或工业自动化设备。

六、应用领域

由于其独特的高性能特性，2SK879-Y可应用于多种领域，包括：

• 低噪声放大器: 适合于音频和射频应用，以提高信号的质量和完整性。
• 开关电路: 可用于高效的开关操作，尤其适合于开关电源和调制解调器（MODULATOR）。
• 传感器接口: 由于其高输入阻抗和低漏电流特性，适合用于各种传感器信号前端的信号处理。

七、安装与使用

2SK879-Y的表面贴装型设计，使得其非常适合现代电子设备的紧凑内部布局。正确的安装和焊接技术可以确保其最佳性能，同时提高设备的可靠性。建议在装配过程中遵循相应的行业标准，以避免任何潜在的焊接缺陷。

八、总结

2SK879-Y(TE85L,F)是一个具有高性价比的N沟道JFET，它集合了小尺寸、低功耗及优异的电气性能，能够满足广泛的应用需求。作为东芝公司推出的重要产品，它在高频小信号处理和高温环境下具有极大的应用潜力。无论是在消费电子、通信模块还是工业控制设备中，2SK879-Y都将是一款值得信赖的选择。