ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA 产品概述

一、产品简介

ZXMN10A08GTA 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），由 DIODES（美台）公司生产。该器件组合了高漏源电压（Vdss）、低导通电阻和优良的热性能，适合各种电子电路的开关和放大应用。专为中低功率应用设计，ZXMN10A08GTA 提供了最佳的功耗表现与可靠性，非常适合用于电源管理、驱动电路及其他需要快速开关特性的应用。

二、基础参数

ZXMN10A08GTA 的主要技术参数如下：

• 漏源电压 (Vdss): 100V
• 连续漏极电流 (Id): 2A（在 25°C 的条件下）
• 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2V @ 250µA
• 漏源导通电阻 (Rds(on)): 250mΩ @ 3.2A, 10V
• 最大功率耗散: 2W（在环境温度 25°C 时）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 驱动电压: 6V 至 10V
• 栅极电荷 (Qg) 最大值: 7.7nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss) 最大值: 405pF @ 50V
• 栅源极保护电压 (Vgs): ±20V
• 封装类型: SOT-223、TO-261-4、TO-261AA

三、产品特点

1. 高漏源耐压: ZXMN10A08GTA 的漏源电压可达 100V，使其非常适合高电压应用，广泛应用于电源转换电路和电机控制电路中。

2. 低导通电阻: 其导通电阻为 250mΩ，这一低阻值能够有效降低功率损耗，提高电路效率，有助于提升整体系统的性能。

3. 良好的散热能力: 最大功率耗散为 2W，说明该器件在高负载下依然能够保持稳定的温度表现，这对于高功率设计尤为重要。

4. 宽广的工作温度: 工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其适合于极端环境的应用，如汽车电子和工业控制。

5. 表面贴装封装: SOT-223 封装使得 ZXMN10A08GTA 适合现代自动化生产线的表面贴装技术（SMT），可大大减少空间，便于设计紧凑型电路板。

四、应用场景

ZXMN10A08GTA广泛用于以下应用场合：

• 电源开关：在开关电源中作为开关元件，能够实现高频开关，提高转换效率。
• 马达驱动：在电动机控制电路中用于无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动。
• 音频功率放大器：用于低失真、大电流的音频功率放大电路。
• LED驱动：在LED驱动电路中提供稳定电流，确保亮度一致性。
• 信号开关：作为信号传输电路中的开关元件，用于切换信号路径。

五、结论

ZXMN10A08GTA 是一款功能强大且高效的 N 沟道 MOSFET，因其高漏源电压、低导通电阻及优良的热特性，被广泛应用于各种电子设备中。其卓越的性能和灵活的应用场景使得 ZXMN10A08GTA 成为了设计工程师在电子电路设计中值得信赖的选择。无论是在电源管理、马达驱动还是音频放大等领域，ZXMN10A08GTA 都展示了其不可或缺的价值，为现代电子设计提供了可靠的解决方案。