ZXMN10A07FTA
ZXMN10A07FTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 700mA |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 700mΩ @ 1.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 625mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 700mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 700 毫欧 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 138pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZXMN10A07FTA手册
ZXMN10A07FTA概述
ZXMN10A07FTA 产品概述
一、基本介绍
ZXMN10A07FTA 是由 DIODES（美台）公司生产的一款高性能 N沟道 MOSFET，封装形式为 SOT-23，具有良好的导电性能和高效的开关能力，广泛应用于电源管理、开关电路、信号放大及其他相关领域。该元器件特别适合需要高效率和空间节省的电子设计，如便携式设备和电池供电系统。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）：该器件的漏源电压可达 100V，意味着在多数应用场景下，ZXMN10A07FTA 能够承受较高的电压而不发生击穿。
连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境下，该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 700mA，这对于大多数操作条件下的驱动电流提供了充足的支持。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：器件的阈值电压为 4V @ 250µA，表明其控制电路的驱动电压要求较低，能够实现较快的开关响应。
漏源导通电阻（Rds(on)）：在 1.5A 和 10V 的测试条件下，Rds(on) 为 700mΩ，这保证了在工作状态下能够实现低功耗的导通，减少热损耗。
最大功率耗散：在 25°C 环境温度下，该器件的最大功率耗散为 625mW，能有效地处理较高的功率水平，保持稳定的工作状态。
工作温度范围：ZXMN10A07FTA 能在 -55°C 至 150°C 的广泛温度范围内稳定工作，适用于严苛的环境条件。
三、技术特性
该元器件基于金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 技术设计，不仅具备优异的电流控制特性，而且在开关频率高及工作效率方面表现不俗。ZXMN10A07FTA 具有较小的栅极电荷（Qg）值，为 2.9nC @ 10V，这意味着在高频应用时能够实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
此外，该 MOSFET 在工作条件下的输入电容 (Ciss) 最大值为 138pF @ 50V，较小的输入电容使其能够迅速响应信号变化，提升电路的整体响应能力。
四、应用场景
ZXMN10A07FTA 的应用场景涵盖了许多领域，包括但不限于：
电源管理：在开关电源、DC-DC 转换器等设计中，作为开关元件使用，能够实现高效的电力转换。
电池供电设备：在可穿戴设备、手持设备等便携式电子产品中，ZXMN10A07FTA 提供高效的电流控制，延长设备的电池寿命。
信号放大器：可以作为小信号放大器，适用于音频放大、低功耗无线设备等领域。
小型驱动电路：适用于电机驱动、灯光控制及其他需要快速开关的电路。
五、封装与安装
ZXMN10A07FTA 采用 SOT-23 封装，具有较小的尺寸，适合高密度的电路板设计。表面贴装型安装方式便于自动化生产，提升了组装效率，并降低了生产成本。
六、总结
ZXMN10A07FTA 是一款具有较高可靠性和效能的 N沟道 MOSFET，广泛适用于各类电子应用。凭借其优越的电气性能和适应恶劣环境的能力，ZXMN10A07FTA 能为现代电子设备提供更可靠的解决方案，是设计工程师在选择场效应管时的优选器件。