ZVNL110GTA
ZVNL110GTA参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 500mA，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 600mA（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 75pF @ 25V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
ZVNL110GTA手册
ZVNL110GTA概述
ZVNL110GTA 产品概述
产品简介
ZVNL110GTA 是一种高性能的 N 沟道场效应管（MOSFET），由著名半导体制造商 DIODES 提供。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，常用的 SOT-223 封装形式使其适合在现代电子设备中进行紧凑布局。其主要特性包括最大漏极电流 600mA、漏源电压（Vdss）高达 100V，以及最大功率耗散能力达到 1.1W，广泛应用于电源管理、开关电路和信号调理等多个领域。
主要参数
- 安装类型: 表面贴装型（SMD）
- 漏极电流 (Id): 600mA（在 25°C 环境温度下）
- 漏源电压 (Vdss): 100V
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 3Ω（在 10V Vgs 和 500mA Id 条件下）
- 功率耗散 (Pd): 最大 1.1W
- 输入电容 (Ciss): 最大 75pF（在 25V 条件下）
- Vgs 最大值: ±20V
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 1.5V（在 1mA 条件下）
- 驱动电压: 最小 5V，最大 10V
- 封装类型: SOT-223
性能特点
ZVNL110GTA 的导通电阻性能在低电压驱动时也表现优秀。它的最大 Rds(on) 可在 10V 的驱动条件下达到最小值，为应用提供了更高的工作效率和更低的热量产生。这使其非常适用于高效的开关电源和线性稳压器的设计。通过控制 Rds(on)，设计者能够减少在电流通过时的功率损耗，从而提高整个电路的效能及可靠性。
工作温度范围广泛
该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适用于在极端温度环境中进行可靠的应用。无论是高温还是低温环境，ZVNL110GTA 都能确保稳定的性能和长寿命，广泛应用于汽车电子、工业控制和消费电子等领域。
应用领域
ZVNL110GTA 适合多种应用，包括但不限于：
- 电源管理: 可用于高效的 DC-DC 转换器和开关电源中，以实现对电源的精确控制。
- 驱动电路: 在电机驱动、继电器驱动和其他负载控制中，可以作为开关元件使用。
- 信号调理: 可以用于音频和视频信号的切换，保证信号的完整性和清晰度。
设计灵活性
ZVNL110GTA 封装为 SOT-223，这种紧凑设计适合于高密度的印刷电路板（PCB）布局。这使得设计师在产品设计的灵活性和空间利用方面有了更多选择。该 MOSFET 在 PCB 上的置放不会占用过多的空间，因此非常适合小型设备和集成电路的开发。
总结
ZVNL110GTA 是一款高效能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET，凭借其优秀的电气性能和广泛的应用范围，非常适合现代电子设备的需求。无论是在成本效益、功率效率还是温度适应性方面，该产品均表现出色，让设计师在进行新产品开发时有更多的选择和便利。由于其广泛的应用前景和卓越的性能，ZVNL110GTA 将在电源管理和驱动电路中发挥重要作用。