ZVN3320FTA
ZVN3320FTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 60mA |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 25Ω @ 100mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 330mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 欧姆 @ 100mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 45pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZVN3320FTA手册
ZVN3320FTA概述
ZVN3320FTA 产品概述
基础信息
ZVN3320FTA 是一款高性能的 N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低功耗应用设计。它的主要电气特性包括：漏源电压（Vdss）高达 200V，具有良好的漏极电流承受能力（Id 为 60mA @ 25°C），以及低漏源导通电阻（Rds On）为 25Ω @ 100mA，10V。此产品适合需在高电压及中等电流条件下稳定工作的电子电路，特别是用于开关、线性放大以及驱动应用中。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 200V
- 连续漏极电流（Id）: 60mA @ 25°C
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V @ 1mA
- 漏源导通电阻（Rds On）: 25Ω @ 100mA, 10V
- 最大功率耗散: 330mW @ Ta=25°C
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23-3
主要特性
高电压和电流能力: ZVN3320FTA 具有 200V 的漏源电压能力，在多个高压应用中表现出色。在连续漏极电流的承受能力方面，其最大值为 60mA，使得产品能够处理适中的电流负载。
低导通电阻: 该设备特有的导通电阻（Rds On）为 25Ω，使其在导通状态时电压降小，从而提高能效，并减少发热。这对于开关电源和电机驱动等应用尤为重要。
适应广泛的工作环境: ZVN3320FTA 的工作环境温度范围宽广，可以在 -55°C 到 150°C 的温度下工作，这使得它非常适合航空、汽车及工业控制等高温和低温环境应用。
紧凑的封装: SOT-23-3 封装设计不仅节省空间，而且便于表面贴装（SMD），适合高密度电路板的布局。其紧凑的设计使得其能够适配现代电子设备紧凑的设计需求。
较高的栅源极阈值电压: 栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 3V @ 1mA，保证了产品能够在较低的栅电压下实现导通，使得设计人员能够更容易地集成控制电路。
应用场景
ZVN3320FTA 适用于多种场景，包括但不限于：
- 开关电源: 在开关电源电路中，快速的开关速度和低导通损耗提供了高效的电力转换。
- 电机驱动: 可用于控制直流电机和步进电机的驱动电路中。
- 功率放大器: 在音频和射频功率放大器中，提供良好的信号放大能力。
- 自动化控制系统: 可在各种传感器和继电器驱动应用中运用。
供应商与品牌
ZVN3320FTA 是由美台半导体（DIODES）公司制造的，作为一个知名的半导体供应商，他们在全球范围内为多种市场提供高质量和高可靠性的电子元器件。
结论
总的来说，ZVN3320FTA 是一款多功能、高性能的 N沟道 MOSFET，具备200V的高耐压和低导通电阻等优良特性，适合应用于多种电子设计和控制系统。其紧凑的封装设计和广泛的工作温度范围，使得它在现代电子设备中有广泛的适用性。随着电子设备对高效能和小型化的不断需求，ZVN3320FTA 提供了一种理想的解决方案。