US1G-E3/61T
US1G-E3/61T参数
| 直流反向耐压（Vr） | 400V | 平均整流电流（Io） | 1A |
| 正向压降（Vf） | 1V @ 1A | 反向恢复时间（trr） | 50ns |
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 400V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 50ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 400V | 不同 Vr、F 时电容 | 15pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 供应商器件封装 | DO-214AC（SMA） | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
US1G-E3/61T手册
US1G-E3/61T概述
US1G-E3/61T 产品概述
产品简介
US1G-E3/61T是一款高效率的快恢复二极管，由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）出品。该二极管特别设计用于承受高压和高电流，同时因其快速恢复特性，广泛应用于各种电源管理和整流应用中。本产品具有良好的热稳定性和可靠性，是现代电子系统中不可或缺的元件。
主要技术参数
- 直流反向耐压（Vr）: 400V
- 平均整流电流（Io）: 1A
- 正向压降（Vf）: 1V @ 1A
- 反向恢复时间（trr）: 50ns
- 反向泄漏电流: 10µA @ 400V
- 正向压降: 1V @ 1A
- 电容特性: 15pF @ 4V，1MHz
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: 表面贴装型DO-214AC（SMA）
特色性能
高压耐受性 US1G-E3/61T的反向耐压高达400V，适合高压应用。这一性能使得其在电源整流、电机驱动和高频开关电源等领域表现优异。
低正向压降与高效率 该二极管在1A电流下仅有1V的正向压降，这意味着在工作过程中发热量较低，从而提高了整体的能量效率。此外，低正向压降有助于减少系统功耗，延长电路寿命。
快速恢复时间 US1G-E3/61T具有50ns的反向恢复时间，使其在高频开关应用中表现出色。对于需要快速响应的电子电路，尤其是在开关电源和反激式变换器中，这一特性可以显著提高性能和效率。
广泛的工作温度范围 温度范围从-55°C到150°C，使得该二极管能够在各种苛刻的环境下稳定运行，无论是高温还是低温环境，都能保证良好的电气性能。
可靠性 由于采用高质量的材料和严格的制造工艺，US1G-E3/61T在长时间使用中展现出出色的可靠性。在机械应力和温度变化的情况下，依然保持优异的性能表现。
应用场景
US1G-E3/61T由于其优异的电气特性，适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源整流: 在开关电源、线性电源等整流电路中扮演重要角色，实现高效能源转换。
- 电机控制: 在电机驱动电路中作为整流元件，提高能效和控制响应。
- 信号整流: 作为信号整流二极管，用于无线通信设备和音频应用等领域。
- 保护电路: 在逆变器和电力转换设备中，提供反向电流保护，防止设备损坏。
封装及安装
US1G-E3/61T采用DO-214AC（SMA）封装，这种表面贴装型封装便于在现代电子电路板上高效安装。其紧凑的设计能够有效节省空间，同时符合自动化生产线的要求。
结论
US1G-E3/61T快恢复二极管是一款体现了高效率、低发热和快速反应的优秀电子元器件。其在广泛的应用领域中的可靠性及性能使其成为电子设计工作的优选元件。无论是用于工业控制、智能家居、还是其它高科技应用，US1G-E3/61T都能为用户提供卓越的电力和性能保障。