额定功率 | 150mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 47 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | UMT6 |
UMD12NTR是ROHM公司推出的一款数字晶体管,采用NPN和PNP预偏置配置,专为各种电子应用而设计,尤其适合数字电路和开关应用。该产品的主要特点包括其较高的功率处理能力、出色的频率响应和多种安装选项,旨在满足现代电子设备对高效、紧凑组件的需求。
UMD12NTR的额定功率为150mW,集电极电流(Ic)最大可达到100mA,集射极击穿电压(Vce)最高可达50V。这些参数使其在多种电源应用中表现出色,能够承受相对较高的电流和电压,适合用于驱动和切换负载。
该器件包含一个NPN晶体管和一个PNP晶体管的组合设计,通常称为“数字晶体管”。这种配置简化了电路设计,因为它内置了偏置电阻,可以在开关应用中消除外部基极电阻的需求。UMD12NTR通过预偏置设计,实现对输入信号的快速响应和低功耗操作。
UMD12NTR的直流电流增益(hFE)在不同的Ic和Vce条件下具有良好的性能。其在5mA集电极电流和5V收集电压下的增益最小值为68,保证了该晶体管在中等负载条件下能够提供稳定的增益。在饱和状态下,产品在可达500µA的基极电流和10mA的集电极电流情况下,提供的最大饱和压降为300mV,这使得UMD12NTR在快速开关操作时具有较低的功耗损失。
该器件的跃迁频率达到250MHz,充分满足高频应用的需求。这一特性使UMD12NTR非常适合用于高速信号处理和数据信号的开关,能够在高速环境中保持良好的工作性能。
UMD12NTR的封装采用了流行的6-TSSOP(小型薄型塑料表面贴装封装),符合SC-88和SOT-363标准。小巧的体积使其能够在紧凑的PCB设计中有效配置,同时也便于大规模生产的自动化贴装。
UMD12NTR广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
此外,由于其低功耗和高效率,UMD12NTR还被广泛应用于便携式电子设备中,确保设备在电池供电的情况下仍能实现优异的性能。
UMD12NTR作为一款性能优异的数字晶体管,结合了多种优良特性,如高功率处理能力、快速开关频率以及紧凑的封装尺寸,适用于现代电子设计。ROHM公司凭借其丰富的经验和技术积累,提供了这一款满足市场需求的高质量产品,期待UMD12NTR能在您的设计中发挥重要作用。无论您是在进行新产品开发,还是在提升现有设备性能,UMD12NTR都是值得考虑的重要元件。