TN2404K-T1-E3
TN2404K-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 240V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 4Ω @ 300mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 360mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 300mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
TN2404K-T1-E3手册
TN2404K-T1-E3概述
产品概述：TN2404K-T1-E3 MOSFET
一、引言
TN2404K-T1-E3是由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）推出的一款高性能N通道MOSFET（场效应管）。其主要应用于高压和低功耗电路，尤其适合用于开关电源、直流-直流转换器以及其他需要高效能和稳定性的新型电子设计。本文将详细介绍该元器件的基本参数、性能特点、应用领域及其优势。
二、产品参数
基本电气特性
- 漏源电压（Vdss）: 240V
- 连续漏极电流（Id）@25°C: 200mA
- 漏极导通电阻（Rds(on): 最大4Ω @ 300mA，10V
- 栅源极阈值电压（Vgs(th): 最大2V @ 250µA
- 最大功率耗散: 360mW（在环境温度25°C时）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
驱动特性
- 驱动电压: 2.5V（最小Rds(on)），10V
- 栅极电荷（Qg）: 最大8nC @ 10V
- 最大栅源电压（Vgs）: ±20V
封装信息
- 封装类型: SOT-23-3（TO-236）
- 安装方式: 表面贴装型
- 封装外壳: SC-59，SOT-23-3
三、性能特点
TN2404K-T1-E3具有诸多优越性能，使其在众多应用中表现出色。首先，其240V的高漏源电压能力，能够满足各种高电压应用的需求，其200mA的连续漏极电流保证了在各种工作条件下的稳定性。同时，该元器件的漏极导通电阻在4Ω的范围内，对提升转换效率、降低损耗具有积极作用。此外，低阈值电压与适中的驱动电压，使其在驱动电路时对外部控制电路的要求降低，便于集成。
四、应用领域
TN2404K-T1-E3的应用场景广泛，尤其在以下几个领域中表现突出：
开关电源: 由于其高电压和电流能力，非常适合用作开关元件，在AC/DC或DC/DC转换器中管理电源。
电子驱动: 在电机驱动、继电器驱动等电子控制中，能够有效控制电流流向，提升系统的效率和响应速度。
电池管理系统: 在各类电池充电器和管理器中，TN2404K-T1-E3可用于实现精准的电流和电压控制，确保电池的安全使用。
LED驱动器: 在LED照明技术中，作为开关管使用，能够提升LED的工作效率及延长其使用寿命。
五、优势与市场竞争力
TN2404K-T1-E3结合了VISHAY卓越的制造工艺与设计理念，成为市场上值得信赖的产品。其主要优势包括：
- 高功率密度: 适应高电流应用，并在较小的封装中提供高可靠性。
- 良好的热性能: 较宽的工作温度范围使其适用于更苛刻的环境。
- 集成简便: SOT-23的封装形式，便于在各类PCB设计中实现轻松集成和布局。
六、总结
TN2404K-T1-E3是一款兼具高压、高效能的N通道MOSFET，凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景，成为众多电气工程师与设计师的首选产品。无论是在开关电源、电子驱动还是电池管理系统中，TN2404K-T1-E3均能提供卓越的性能，为现代电子设计提供强有力的支持。通过其合理的价位与可靠的质量，TN2404K-T1-E3在市场竞争中保持着吸引力，是追求高效电路解决方案的理想选择。