通态电流(It (RMS)) (Max) | 8A | 断态电压Vdrm | 600V |
栅极触发电压 | 1.3V | 类型 | 双向可控硅 |
栅极触发电流 | 35mA | 双向可控硅类型 | 可控硅 - 无缓冲器 |
电压 - 断态 | 600V | 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值) | 8A |
电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值) | 1.3V | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 80A,84A |
电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值) | 35mA | 电流 - 保持 (Ih)(最大值) | 35mA |
配置 | 单路 | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK |
T835-600B-TR 是一种高性能双向可控硅(SCR),由意法半导体(STMicroelectronics)制造,具备高达 8A 的通态电流承载能力和 600V 的断态电压,广泛适用于各种电力电子应用中。该器件专为需要相对较高电流和高耐压特性的电路设计而开发,尤其适合控制和调节电力、加热和马达应用。其表面贴装型封装(DPAK)使安装更加方便,提高了在现代电子设备中的互换性和集成度。
T835-600B-TR 采用 DPAK 封装,适合表面贴装(SMD)技术,具有良好的电气性能和散热特性。其紧凑型外形能够有效节省PCB空间,便于集成至各种电气设备中。
T835-600B-TR 的应用范围极广,涵盖了以下几类:
T835-600B-TR 是一种性能优越的双向可控硅,具备高电压和大电流的特点,适合各种电力电子应用。它的设计不仅满足现代电子设备的需求,而且为系统的稳定性和可靠性提供了保障。无论是在家庭电器还是工业设备中,T835-600B-TR 都是电力控制和调节中的理想选择。通过其优化的参数和灵活的封装设计,用户能够在设计中实现更高的功效和更低的能量消耗。