SUP90140E-GE3
SUP90140E-GE3参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 96nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4132pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
SUP90140E-GE3手册
SUP90140E-GE3概述
SUP90140E-GE3 产品概述
SUP90140E-GE3 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由知名品牌 VISHAY（威世）生产。它采用 TO-220-3 封装，广泛应用于高效能开关电源、逆变器、马达控制和其他电源管理场合。凭借其优越的电气性能和广泛的工作温度范围，SUP90140E-GE3 成为各种电子设备中的理想选择。
主要特性
电压及电流能力： SUP90140E-GE3 的漏源极电压（Vdss）最高可达 200V，使其可以处理高压应用。而其持续漏极电流（Id）高达 90A，在高温环境下表现出色，适用于高负载的电流应用。此外，该器件的瞬时漏极电流（Idm）可达到 240A，为用户提供了良好的电流处理能力，适合高峰值电流场合。
导通电阻： 在 10V 的栅源电压下，SUP90140E-GE3 的导通电阻（Rds On）在 30A 的漏极电流下最大为 17 毫欧，这意味着它在实际应用中能够有效降低开关损耗与功率损耗，从而提高系统的能效。
栅极驱动电压： 此器件的栅源电压（Vgss）可以达到 ±20V，适应于多种驱动电路。同时，为实现最优化的开关性能，推荐的驱动电压为 7.5V 至 10V，这样可以有效控制导通状态的电阻。
输入电容和栅极电荷： SUP90140E-GE3 的输入电容（Ciss）在 100V 条件下最高可达 4132pF，而最大栅极电荷（Qg）为 96nC @ 10V。这些参数非常适合高速开关应用，能够快速响应控制信号，从而增强开关频率，减少开关损耗。
强大的功率处理能力： 该 MOSFET 的功率耗散能力最大可达 375W，确保其在高温及高负载的环境下稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C（TJ），能够在各种严苛条件下有效工作，确保系统的可靠性和稳定性。
集成设计和应用灵活性： SUP90140E-GE3 的 TO-220-3 封装具备良好的散热性能，便于通过通孔安装（THT），从而进一步提升了系统的热管理能力。这使其适用于各种应用，如电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动等。
应用前景
SUP90140E-GE3 的设计考虑了现代电子产品对高性能、高效率和高可靠性的需求，适用于多个领域，包括但不限于消费电子、工业自动化、电动汽车及可再生能源系统。在电源管理中，其低导通电阻、高驱动电压能力和强大的功率处理能力可极大地提高系统的整体效率。
此外，SUP90140E-GE3 还适合用于快速开关应用，如开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器和相关的高频转换器。其高耐压和大电流能力使其能够在要求苛刻的环境中稳定运行。
总结
作为市场上优质的 N 沟道 MOSFET 解决方案，SUP90140E-GE3 将出色的电气性能与极高的可靠性结合在一起，适合要求严格的电源应用。无论是在高电压的时候，还是在高电流的应用中，它都能表现出色，是实施高效电源管理和控制系统的理想选择。