SUP85N10-10-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.5g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.75W；250W 100V 85A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
13.53按整 :
管(1管有500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥13.53
--
10+
￥11.28
--
500+
￥10.74
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
SUP85N10-10-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 85A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 10.5mΩ @ 30A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 85A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.5 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 160nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6550pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3.75W（Ta），250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
SUP85N10-10-E3手册
SUP85N10-10-E3概述
SUP85N10-10-E3 产品概述
产品简介
SUP85N10-10-E3 是一款由威世（VISHAY）公司生产的高效N沟道MOSFET，具有100V的漏源电压（Vdss）和85A的连续漏极电流（Id，25°C时）。这一型号专为高性能开关和功率转换应用而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动和其他电力电子设备中。
基本参数
SUP85N10-10-E3 MOSFET的主要参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id）: 85A（在适当的散热情况下，以Tc为基准，具体环境温度会对性能产生影响）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 3V（在250µA时测试）
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 10.5mΩ（在30A和10V时），该参数表明了器件在导通状态下的阻抗，越低的值意味着在开关和功率传输过程中损耗越小，从而提高效率。
- 驱动电压（Vgs）: 最高可达10V，最低为4.5V，以确保器件在所需的工作状态下有效开关。
- 栅极电荷（Qg）: 160nC（在10V时），该值影响开关速度和驱动电路的功耗。
- 输入电容（Ciss）: 6550pF（在25V时），影响开关频率范围和开关损耗。
- 工作温度范围: -55°C至175°C，适应恶劣的工作环境。
- 功率耗散: 最大为3.75W（在环境温度Ta情况下）和250W（在晶体管结温Tc情况下），确保该元件在高功率应用中的稳定运行。
封装与安装
SUP85N10-10-E3采用TO-220AB封装类型，该封装不仅易于安装，而且有助于有效散热，能够承受较高的功率，同时保持较好的电气性能。通孔安装的设计便于集成到各种电路板中，对于设计空间有限的应用尤为重要。
应用场景
SUP85N10-10-E3广泛用于以下应用领域：
- 电源管理: 作为用于DC-DC转换器的开关元件，其高导通电流和低导通电阻特性使其非常适合于高效电源设计。
- 马达驱动: 在电动机控制应用中，MOSFET能够快速开关，提升控制精度，减少能量损失。
- 高效开关应用: 包括开关模式电源（SMPS）、逆变器和UPS（不间断电源）系统等。
- 汽车电子: 适用于智能汽车中的电荷泵、发电机及各种电力控制系统。
- 工业控制: 用于驱动设备、传感器及执行器，因其耐高温和高电流特性而受到青睐。
结论
SUP85N10-10-E3 MOSFET是一款适用于极端环境条件的高性能N沟道MOSFET，具有出色的导电特性和热性能，非常适合各种电力电子应用。凭借其优越的设计和可靠的性能，威世的这一产品可为开发人员和工程师提供高效的解决方案，帮助他们在电源转换和产品推广中提升设计效率，降低成本。在此基础上，SUP85N10-10-E3的多种应用前景将确保其在电力电子领域的持久影响力。