SUM90P10-19L-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-263（D2Pak）
包装 :
编带
重量 :
1.653g
描述 :
场效应管(MOSFET) 13.6W；375W 100V 90A 1个P沟道 TO-263
库存 :
900(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
17.64按整 :
圆盘(1圆盘有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥17.64
--
100+
￥15.75
--
800+
￥15.14
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
SUM90P10-19L-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 90A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 19mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 13.6W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 326nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11100pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 13.6W（Ta），375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
SUM90P10-19L-E3手册
SUM90P10-19L-E3概述
产品概述：SUM90P10-19L-E3
SUM90P10-19L-E3 是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）推出。该产品专为高电压和高电流应用设计，具有优良的热性能和可靠性，适用于各种电子设备和电气系统的开关和放大功能。
关键参数和性能
电压和电流规格：
- 漏源电压（Vdss）：100V，允许该器件在高电压下稳定工作，减少了因过电压引起的失效风险。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，器件可承载高达90A的漏极电流（Tc），确保在高负载下的有效运行。
阈值电压与导通电阻：
- 栅源极阈值电压：3V @ 250µA，设计用于低电压控制逻辑，以便轻松实现开关状态的切换。
- 漏源导通电阻：在10V Vgs下，漏源导通电阻仅为19mΩ @ 20A，这一低值导通电阻使得SUM90P10-19L-E3在导通时消耗较少功率，降低了热量产生，提高了整体效率。
功率耗散能力：
- 最大功率耗散：在25°C环境温度下可达13.6W，且在芯片温度（Tc）下最高可承受375W的功率，展示出其在高功率应用环境下的卓越性能。这一特性适用于要求高功率处理能力的应用，如电源管理和电机驱动。
频率特性和开关性能：
- 栅极电荷（Qg）：326nC @ 10V，低的栅极电荷特性使得驱动电路的功耗减少，适应高速开关的应用场景。
- 输入电容（Ciss）：11100pF @ 50V，允许在较高频率下稳定操作，有利于高频开关电源和开关模式电源（SMPS）设计。
工作温度范围：
- 工作温度广泛，涵盖-55°C至175°C的环境温度，适合于各种工业和航空航天等苛刻环境下的应用。
封装类型：
- 采用TO-263（D²Pak）表面贴装封装，便于自动化生产，提高组装效率，适用于空间受限的应用。
应用领域
SUM90P10-19L-E3适用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源转换器、DC-DC转换器中作为主要开关元件。
- 电动汽车：在驱动电机和能量回收系统中，实现高效电流控制。
- 工业控制：在伺服电机驱动和自动化设备中实现精确开关控制。
- 消费电子：在家电和便携设备中提供高效的功率转换。
结论
SUM90P10-19L-E3 是一款高性能的P沟道MOSFET，凭借其优秀的电气特性和热管理能力，在各种高电压和高电流的应用中表现出色。它的低导通电阻和宽工作温度范围使其成为现代电源设计中的理想选择。无论是在工业领域还是消费电子产品中，VISHAY的SUM90P10-19L-E3都能够为设计师提供所需的灵活性和性能，推动更高效、可靠的电子系统的开发与应用。