SUD19N20-90-E3
SUD19N20-90-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 19A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 90mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 51nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），136W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SUD19N20-90-E3手册
SUD19N20-90-E3概述
SUD19N20-90-E3 产品概述
产品概述
SUD19N20-90-E3 是一款由 VISHAY（威世）生产的高性能 N 沟道 MOSFET，专为需要高效率和高电压耐受性的电子应用而设计。作为一种金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），它适用于广泛的应用领域，包括但不限于电源管理、开关电路、电机驱动和消费电子产品。凭借其优异的电气特性和可靠的热性能，SUD19N20-90-E3 可以显著提升整个系统的性能。
主要参数
漏源电压（Vdss）: SUD19N20-90-E3 的最大漏源电压为 200V，使其适合于高压电源、逆变器及其他需要处理高电压信号的应用。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，该器件能够承载高达 19A 的连续漏极电流，确保在高负载条件下稳定运行。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 其栅源极阈值电压为 4V（在 250µA 下），适合于低阈值控制电路，从而能够以较低的驱动电压进行操作。
导通电阻（Rds(on)）: 在 5A、10V 条件下，导通电阻达到了 90mΩ，这保证了在开关状态下的低功耗和高效率。
功率耗散: 本器件在环境温度为 25°C 时的最大功率耗散为 3W，而在结温 Tc 下其功率耗散能力可达 136W，为高功率应用提供灵活性。
工作温度范围: SUD19N20-90-E3 的工作温度范围从 -55°C 到 175°C，使其适合在极端温度环境中运行。
封装与安装: 该 MOSFET 采用 TO-252（D-Pak）表面贴装型封装，方便在现代电子设备中进行安装，并且具备良好的散热性能。
应用场景
SUD19N20-90-E3 的设计使其适用于多种应用场景：
- 开关电源: 在各种开关电源设计中，它可用于高效的电源管理，通过降低能量损失来提高整体效率。
- 电机驱动: 其高电流能力和快速开关速度使之非常适合用于直流和交流电机的驱动，能够在更高的效率下控制电机的运行。
- 消费电子: 可广泛应用于各种消费电子产品中，如电视、计算机和家用电器，以提高电源的能效与稳定性。
- 电源监测和控制: 在中等到高功率的电源监测应用中，SUD19N20-90-E3 可用于实现高效的电流控制与电压监测。
优势
使用 SUD19N20-90-E3 的主要优势在于其高效率、低导通电阻和高雷击电压耐受能力，这使得它在多种高性能电子应用中成为理想选择。此外，其宽广的工作温度范围使得设备在不同作业条件下始终保持稳定运行。
总结
综合来看，SUD19N20-90-E3 是一种高效可靠的 N 沟道 MOSFET，适用于各种高电压和高电流的应用。凭借其出色的电气特性和耐用性，它不仅适合于当今对性能要求越来越高的市场需求，也是设计工程师在开发新一代电子产品时的理想选择。VISHAY 通过精湛的工艺和严谨的测试，为用户提供了这一值得信赖的半导体元器件。