STW7N95K3
STW7N95K3参数
| 封装/外壳 | TO-247-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 950V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 950V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.35 欧姆 @ 3.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1031pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
STW7N95K3手册
STW7N95K3概述
STW7N95K3 产品概述
产品简介
STW7N95K3 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-247-3。该器件能够在高达 950V 的漏源极电压（Vdss）下工作，适用于要求苛刻的领域，如电源管理、高频开关及大功率应用。
主要特性
高电压能力：STW7N95K3 可承受最高 950V 的工作电压，使其在高压电源和变换器应用中表现优异，能够满足工业、电力及信号处理领域的需求。
连续漏极电流：在 25°C 的环境温度下，STW7N95K3 的连续漏极电流高达 7.2A，保证了其在常规工况下的稳定运行。
电阻特性：包含优异导通电阻（Rds(on)）特性，在 3.6A 和 10V 驱动电压下，其最大导通电阻为 1.35Ω。这一特性有助于降低开关损耗和提高整体能效。
极低的栅极电荷（Qg）：在 10V 的栅极驱动下，该器件的栅极电荷最大值为 34nC。这意味着其对于高频应用中的切换响应较为敏锐，能够满足高效驱动的要求。
良好的散热能力：产品具有最大功率耗散能力为 150W，适合于高功率密度应用场合，确保 MOSFET 在严苛条件下的可靠运行。
高通用性：广泛的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，使得 STW7N95K3 可适用于各种极限环境中的应用，保证了其在恶劣环境下的稳定运行。
应用领域
由于上述特性，STW7N95K3 在众多应用中具备高度适应性，包括但不限于：
开关电源变换器：高电压、大电流的转换需求，特别是在开关电源（SMPS）以及逆变器应用中。
电机驱动：在工业电机控制、 HVAC 系统、伺服马达驱动等领域，提供高效率的开关控制。
高压大功率应用：如电力转换设备、轨道交通、大型 UPS 系统等，确保高效稳定的电力输送。
电力电子设备：在光伏发电、风能转换和储能系统中，承担关键的功率转化与控制角色。
总结
STW7N95K3 作为一款高性能的 N 沟道 MOSFET，不仅具备高电压和高电流特性，同时其低导通电阻和极优的动态特性使其特别适合于现代电力电子应用。无论是在工业、消费电子或是绿色能源方面，该器件都能够提供卓越的性能和可靠的解决方案。意法半导体的这一产品在确保高效率的同时，助力各类应用的智能化与能效提升，是工程师值得信赖的选择。